[发明专利]静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感及制备方法

权利要求书

1.一种静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感，包括固定极板、刻蚀硅片V型槽、可动导体薄膜和平面螺旋电感线圈，固定极板位于刻蚀硅片V型槽内，可动导体薄膜位于硅片表面，并正对固定极板，而平面螺旋电感线圈位于可动导体薄膜的正上方；其特征在于：硅片中刻蚀有硅片V型槽，可动导体薄膜有四个蟹脚状的悬臂梁和导体薄膜平板，悬臂梁连接在导体薄膜平板的四个直角处，电镀时是悬臂梁和导体薄膜平板一起电镀的，而悬臂梁的后端是锚点，锚接在硅片上。

2.根据权利要求1所述的一种静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感，其特征是：在刻蚀V型槽内制作静电驱动极板的固定极板，在硅片表面制作静电驱动的可动导体薄膜，当固定极板和可动导体薄膜两端加上外加电压后，可动导体薄膜就会向固定极板运动。

3.静电驱动导体薄膜的MEMS可调电感的制备方法，其特征在包括如下步骤：

(a)处理、清洗硅片；

(b)在硅片背面制作用于对准的金属对准符号标记；

(c)KOH溶液选择性腐蚀硅，形成V型槽；

(d)等离子增强化学气相沉积PECVD薄层SiO₂和Si₃N₄；

(e)溅射薄层金属，甩正胶A，光刻，选择性剥离金属，形成位于V型槽槽底的固定极板结构层含外加电压Pad1的连接线，丙酮去正胶A；

(f)甩聚酰亚胺，化学机械抛光CMP，溅射种子层，甩正胶B，光刻，电镀平面螺旋电感线圈的GSG共面波导以及固定极板的外加电压Pad1、可动导体薄膜和可动导体薄膜的外加电压Pad2；

(g)甩正胶C，光刻，电镀微电感的两个支撑柱子；

(h)化学机械抛光CMP，甩正胶D，光刻，电镀连接平面螺旋电感线圈和柱子的横梁；

(i)溅射薄层SiO₂，甩正胶E，光刻，刻蚀SiO₂形成通孔，电镀SiO₂通孔，以连接横梁与平面螺旋电感线圈；

(j)甩正胶，光刻，电镀平面螺旋电感线圈；

(k)无掩膜曝光去正胶，刻蚀SiO₂，无掩膜曝光去正胶E、正胶D、正胶C和正胶B，去种子层，再氧气等离子体刻蚀聚酰亚胺。

4.按权利要求3所述的方法，其特征在于采用体硅和表面微机械加工技术相结合的三维微机械加工方法，即利用体硅微机械加工技术的方法刻蚀硅，形成V型槽，在V型槽内制作静电驱动的固定极板，再通过表面微机械加工技术的方法制作静电驱动的可动导体薄膜和平面螺旋电感线圈。

5.按权利要求3或4所述的方法，其特征在于可动导体薄膜为NiF合金、非晶态软磁合金或纳米晶软磁合金。