[发明专利]一种新型结构的透明导电薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200910080142.2 | 申请日: | 2009-03-24 |
公开(公告)号: | CN101582303A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 雷志芳;孙劲鹏;唐茜 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01G9/04;H01G9/20;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 李维真;王建国 |
地址: | 065001河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 结构 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1、一种新型结构的透明导电薄膜,包括基板(1)、缓冲层(2)及透明导电薄膜(3),其特征在于,在透明导电薄膜(3)的透明导电氧化物(4)中掺入一维导电材料(5)。
2、根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其特征在于,透明导电氧化物(4)平均透过率大于80%,电阻率小于10-3Ωcm。
3、根据权利要求1或2所述的透明导电薄膜,其特征在于,透明导电氧化物(4)选自:Sn掺杂In2O3透明导电氧化物、SnO2基透明导电氧化物、ZnO基透明导电氧化物或CdO基透明导电氧化物中的一种或几种。
4、根据权利要求3所述的透明导电薄膜,其特征在于,SnO2基透明导电膜,掺杂元素为F、Sb、In、Zn、Mn、Sr、Zr、Ge、Ce、Pt、Pd、Cd或Nd的一种或多种;ZnO基透明导电膜,掺杂元素为F、Sb、Zr、Al或Ga中的一种或多种。
5、根据权利要求1~4所述的任意一种透明导电薄膜,其特征在于,一维导电材料(5)的电阻率小于所掺杂的透明导电氧化物,并且尽量达到最小。
6、根据权利要求1~5所述的任意一种透明导电薄膜,其特征在于,一维导电材料(5)为金属纳米线、碳纳米管、金属纤维或纳米金属带的一种或者多种;一维导电材料(5)直径为1纳米到50纳米,长度从100纳米到10厘米。
7、根据权利要求1~6所述的任意一种透明导电薄膜,其特征在于,一维导电材料(5)随机的分布于透明导电氧化物(4)中;一维导电材料的掺杂浓度为1wt%~0.01wt%。
8、根据权利要求1~7所述的任意一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,利用超声喷雾热分解法在基板(1)上制备掺有一维导电材料(5)的新型透明导电薄膜。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,包括:配制所需前驱溶液,并利用超声波振荡使溶液及一维导电材料充分混合均匀,在超声雾化器中使前驱溶液雾化,然后用载气将雾化后的溶液及一维导电材料带入喷头,经过喷头后载流气体携带着雾滴与一维导电材料均匀地喷出,进入反应室,雾滴在下落过程中溶剂挥发雾滴缩小,落到衬底基板表面后平化,与此同时,一维导电材料随雾滴一块被沉积到基板表面,最后热分解反应,在衬底上成膜。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法,其特征在于,沉积温度为100℃~800℃;载气流量为0.1~10m3/h。
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