[发明专利]带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构无效
| 申请号： | 200910080070.1 | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101841123A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 熊聪;王俊;崇锋;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/20;H01S5/068;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 耦合 波导 发散 半导体激光器 结构 | ||
1.一种带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：
一衬底，该衬底用于在其上生长激光器各外延层材料；
一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；
一第一N型下限制层，该第一N型下限制层制作在缓冲层上；
一倒V型耦合光波导层，该倒V型耦合光波导层制作在第一N型下限制层上；
一第二N型下限制层，该第二N型下限制层制作在倒V型耦合光波导层上；
一下波导层，该下波导层制作在第二N型下限制层上；
一有源区，该有源区制作在下波导层上；
一上波导层，该上波导层制作在有源区上；
一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；
一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；
一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上。
2.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中第一N型下限制层和第二N型下限制层为N型铝镓砷材料。
3.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中倒V型耦合光波导层为N型铝镓砷材料。
4.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中下波导层为N型铝镓砷材料。
5.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中有源区为铟镓砷材料。
6.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中上波导层为P型铝镓砷材料。
7.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中P型上限制层为P型铝镓砷材料。
8.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中有源区为量子阱结构。
9.根据权利要求1所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，其中上波导层和下波导层为铝组分缓变的铝镓砷材料，产生的折射率缓变波导能减小激光器的阈值电流和远场发散角。
10.根据权利要求1或5所述的带有倒V型耦合光波导小发散角半导体激光器结构，其特征在于，在第一N型下限制层和第二N型下限制层中间引入折射率呈倒V型分布的倒V型耦合光波导层，将激光器有源区的光场耦合到倒V型耦合光波导层附近，扩展有源区的光场，降低激光器的垂直发散角，增加了垂直方向上的近场光斑尺寸，降低端面的光功率密度。
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