[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶面板。

背景技术

液晶显示器在平板显示器中占据重要地位，其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display；以下简称：TFT-LCD)是广泛使用的一种液晶显示器。

TFT-LCD的液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成，图1为现有技术中一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的局部俯视结构示意图，图2为图1中的A-A向剖视图。如图1和图2所示，典型的TFT-LCD阵列基板结构主要包括：衬底基板1；在衬底基板1上形成栅电极4和栅极扫描线2的图案，并形成公共电极5的图案；在栅电极4和栅极扫描线2上形成栅极绝缘层6；栅极绝缘层6上形成半导体层7、掺杂半导体层8、源电极9、漏电极10和数据扫描线3的图案；在上述图案上再形成钝化层11；在钝化层11上形成像素电极13的图案，且像素电极13通过钝化层过孔12与漏电极10连通。

由图1所示可以看出，像素电极的图案是呈矩阵形式排列的，分别对应各个像素区，但是现有TFT-LCD存在着如下缺陷：在制造过程中，像素电极通常是在钝化层上首先沉积一层透明导电膜层，而后采用曝光刻蚀工艺刻蚀出各块像素电极的图案。在刻蚀过程中，由于铟锡氧化物(Indium Tin Oxides；以下简称：ITO)的透明导电膜层与下层钝化层薄膜之间存在界面扩散等影响，刻蚀工艺后可能会在下层钝化层表面残留ITO。残留ITO可能会导致相邻像素电极连通短路，呈现到液晶显示器上即表现为出现亮点或暗点的缺陷，若存在大面积残留ITO，则可能出现多个亮点连成一片的“群辉”现象，使产品报废。现有技术中一般可以通过调整工艺过程中的工艺参数来降低ITO残留的发生几率，但是无法有效地解决ITO残留带来的不良影响，尤其是像素电极之间的较小间隔处受到ITO残留的影响更显著。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法和液晶面板，以降低像素电极材料刻蚀后残留物对产品的影响，提高成品率。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板及其上的多薄膜层，所述多薄膜层包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管，在所述多薄膜层上覆盖有钝化层，所述钝化层上有矩阵形式的多个像素电极，其中：所述钝化层上形成有沟槽，且所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间；所述沟槽的深度小于所述钝化层的厚度。

为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成多薄膜层的图案，所述多薄膜层包括栅极扫描线、数据扫描线和薄膜晶体管；

在形成所述多薄膜层的衬底基板上形成钝化层；

在所述钝化层上形成钝化层过孔和沟槽，所述沟槽的深度小于所述钝化层的厚度；

在形成所述沟槽的钝化层上沉积透明导电膜层；

采用构图工艺刻蚀透明导电膜层以形成矩阵形式的多个像素电极，所述沟槽对应形成在相邻的两个像素电极之间。

为实现上述目的，本发明又提供了一种包括本发明阵列基板的液晶面板，还包括彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板对盒设置，其间填充有液晶层。

由以上技术方案可知，本发明采用在两像素电极之间区域的钝化层上形成沟槽的技术手段，使得在沉积透明导电膜层时，可以在沟槽的边缘处形成断层或增加两像素电极图案之间的距离，则刻蚀像素电极图案后，即使有透明导电材料残留物，但是由于断层的存在或距离的增加，也会减少或避免相邻像素电极的连通短路，因此能够降低像素电极材料刻蚀后残留物对产品的影响，提高成品率，改善画面显示品质。

附图说明

图1为现有技术中一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的局部俯视结构示意图；

图2为图1中的A-A向剖视图；

图3为本发明阵列基板第一实施例的局部俯视结构示意图；

图4为图3中的B-B向剖视图；

图5为图3中的C-C向剖视图；

图6为本发明阵列基板第一实施例中沟槽的纵向截面示意图一；

图7为本发明阵列基板第一实施例中沟槽的纵向截面示意图二；

图8为本发明阵列基板第一实施例中沟槽的纵向截面示意图三；

图9为本发明阵列基板第二实施例的局部俯视结构示意图；

图10为图9中的D-D向剖视图；

图11为本发明阵列基板的制造方法第一实施例的流程图；

图12为本发明阵列基板的制造方法第二实施例的流程图；

图13为本发明阵列基板的制造方法第二实施例中阵列基板的局部纵向剖视图一；