[发明专利]一种制备DLC薄膜的方法、由此制造的DLC膜容器及生产装置无效
| 申请号: | 200910079138.4 | 申请日: | 2009-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN101497994A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | (请求不公开姓名) | 申请(专利权)人: | 张海涛 |
| 主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/517;B65D1/00;B65D25/34;B65D30/02;B65D65/40;B29C49/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 101100北京市通州*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 dlc 薄膜 方法 由此 制造 容器 生产 装置 | ||
1、一种用于制造覆有DLC薄膜容器的装置,包括RF/DC复合电源,真空室,真空泵,气体供给装置,外端电极(3)与中心管电极(7),集磁装置等。
2、权利要求1所述的用于制造覆有DLC薄膜的容器的装置,其特征在于该装置中所包含的真空室与模具形状相同。
3、权利要求1所述的用于制造覆有DLC薄膜的容器的装置,其特征在于该装置中所包含的中心管电极靠近容器底的端口形状为伞装,有利于缓解容器肩部位的气压升高。
4、权利要求1所述的用于制造覆有DLC薄膜的容器的装置,其特征在于该装置中所包含的集磁装置可以制作成集磁器,也可以采用永磁体、电磁铁或者可以产生磁场的其他装置。
5、权利要求1所述的用于制造覆有DLC薄膜的塑料容器的装置,其特征在于所述容器为适用于各种食品、化工、生物医用领域的各种吹塑、挤吹、滚塑、注塑成型的塑料容器。
6、权利要求5所述的用于制造覆有DLC薄膜的塑料容器的装置,其中所述的塑料容器所使用的聚合物可以是PET,也可以是PP、PE、PVC、PVDC、PC、POM、PEC、PMMA、PS、PSU、PTFE、PA、COC、ABS、AN、A/S。
7、权利要求6所述的用于制造覆有DLC薄膜的塑料容器的装置,其中所述的塑料容器内的物质可以是酒类,如啤酒、葡萄酒、白酒或其他酒类,也可以是一种饮料,如果汁型饮料、碳酸型型饮料或者其他饮料,以及医用药物、农药或者疏水的干燥食品。
8、权利要求7所述的用于制造覆有DLC薄膜的塑料容器的装置,其中所述的塑料容器包括一种具有中等刚度和规定厚度(小于5mm)的塑料容器和一种由不具有刚度的薄片材料形成的塑料容器。
9、权利要求8所述的用于制造覆有DLC薄膜的塑料容器的装置,其中所述的塑料容器可以是可回收容器,也可以是一次性容器。
10、一种用于制造覆有DLC薄膜容器的RF/DC复合电源,其特征在于采用该电源时,可同时输出高频13.56MHz与大小可调的直流负偏压,输出端直接连接外端电极(3),接地端与中心管电极(7)相连,亦可采用单独的RF和DC电源同时工作。若RF和DC单独工作时,RF和DC输出端可同时连接外端电极(3),接地端中心管电极(7)相连;也可采用RF连接中心管电极(7),DC连接外端电极(3)的方法,此时接地端与外端电极(3)相连,待产生稳定等离子体后,对外端电极(3)施加偏压,然后逐渐提高偏压值来满足DLC不同性能的要求。
11、一种用于制造覆有DLC薄膜容器的RF/DC复合电源,其特征在于该电源输出高频13.56MHz的同时可叠加一个大小可调的直流负偏压,也可以叠加一个脉冲电压。若为脉冲电压时,幅值、脉宽、频率连续可调,须与射频交替输出。脉冲可以连续施加,也可以断续施加。
12、一种低温制造DLC容器的方法,其特征包含以下步骤:
1)将聚酯粒用吹塑成型法制成需要形状的容器,再将其放入与模具形状相同的密闭真空室内,并插入中心管电极(7)。
2)抽至本底真空3.0×10-3Pa,然后通入氩气,对容器内壁进行等离子清洗,时间约五分钟。
3)关氩气,通入含烃类气体源。
4)高频/偏压复合电源输出端接外端电极(3),接地端与中心管电极(7)相连,接通高频/偏压复合电源,输出高频13.56MHz的同时叠加一个大小可调的直流负偏压。
5)等离子加速沉积在容器内壁上,形成DLC薄膜。
6)20~30min后,停止高频和偏压复合电源的输出,停止供气,继续抽真空数分钟。
7)放气,打开真空室,取出塑料容器。
13、一种制造覆有DLC薄膜的塑料容器的生产方法,其特征在于:充以特定的含烃类气体源在真空度小于200Pa条件下,利用高频/偏压激发等离子体的方法。
14、权利要求13所述的制造覆有DLC薄膜的容器的生产方法,其中所述含烃类气体源为芳香烃、脂肪烃、烷烃、烯烃、炔烃、含氧烃、含氮或者以上几种的混合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张海涛,未经张海涛许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910079138.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶体碎料拉制硅芯的方法及简易装置
- 下一篇:生物柴油及其制备技术
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





