[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线和栅电 极的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体 层和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT 沟道的图形；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝 化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的上方；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜和遮光金属薄膜，通 过构图工艺形成包括像素电极和遮挡层的图形，所述像素电极通过钝化层过 孔与漏电极连接，所述遮挡层位于数据线的上方；

其中，所述步骤4包括：

在完成步骤3的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，依次沉积透明 导电薄膜和遮光金属薄膜；

在所述遮光金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用半阶或灰阶掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域、光刻 胶完全去除区域和光刻胶半保留区域，光刻胶完全保留区域对应于遮挡层图 形所在区域，光刻胶半保留区域对应于像素电极图形所在区域，光刻胶完全 去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的 光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半 保留区域的光刻胶厚度变薄；

通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的遮光金属薄膜和 透明导电薄膜，形成遮挡层图形，所述遮挡层位于数据线的上方；

通过灰化工艺，去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的遮光 金属薄膜；

通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的遮光金属薄膜，暴 露出其下方的透明导电薄膜，形成像素电极图形，像素电极通过钝化层过孔 与漏电极连接；

剥离剩余的光刻胶；

或，所述步骤4包括：

在完成步骤3的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积透明导电 薄膜；

在所述透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用普通掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全 去除区域，光刻胶完全保留区域对应于像素电极所在区域，光刻胶完全去除 区域对应于像素电极图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的 光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除；

通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，形成像 素电极图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接；

在形成像素电极且像素电极上保留有光刻胶的基板上，采用磁控溅射或 热蒸发的方法，沉积遮光金属薄膜，所述遮光金属薄膜在光刻胶边缘区域发 生断裂；

采用离地剥离工艺剥离光刻胶，同时剥离光刻胶上的遮光金属薄膜，形 成遮挡层图形，所述遮挡层图形位于数据线的上方。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述步骤1中还同时形成有挡光条。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述遮挡层两侧的边缘位于所述挡光条遮挡的区域内。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述刻蚀工艺为湿法刻蚀且采用过刻方式，刻蚀掉光刻胶边缘区域下方的透明 导电薄膜。

5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所 述遮光金属薄膜的厚度为