[发明专利]基于周期极化铁电晶体的光电集成电场传感器无效
申请号: | 200910078519.0 | 申请日: | 2009-02-25 |
公开(公告)号: | CN101493481A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 李欢;曾嵘;王博;余占清;何金良 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R15/24 | 分类号: | G01R15/24;G01R29/12 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 周期 极化 电晶体 光电 集成 电场 传感器 | ||
1、一种基于周期极化铁电晶体的光电集成电场传感器,其特征在于,该传感器包括具有电光效应的周期极化铁电晶片,在该晶片表面一个或多个极化周期内形成的沿着平行于畴壁的方向的马赫-曾德尔干涉仪结构的光波导,该光波导包括输入段、输出段及由两个平行臂组成的中间段;所述光波导的两臂分别处于所述一个或多个极化周期中极化方向相反的区域内;在所述周期极化铁电晶片中,极化周期布满整个铁电晶片,全部极化周期沿所述光波导的垂直方向排列,该每个极化周期的宽度相等或不相等。
2、如权利要求1所述电场传感器,其特征在于,所述晶片的周期极化结构为采用离子扩散法、质子交换加快速热处理法、电子束扫描法、外加电场极化法或者晶体生长法中的任何一种得到。
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