[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器器 件的擦除方法，以及一种非易失存储器器件的擦除装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、 个人数字助理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容 量大，读写、擦除快捷、方便、简单，外围器件少，价格低廉的非易失 性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器件。非易失性 存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器通常也 是一个MOS管，拥有一个源极(source)，一个漏极(drain)，一个门极 (gate)，另外还有一个浮动栅极(floating gate)。可见，它的构造和一般 的MOS管略有不同，多了一个浮动栅极，该浮动栅极被绝缘体隔绝于其 他部分。

以闪存(Flash Memory)为例，它是一种基于半导体的存储器，具有 系统掉电后仍可保留内部信息、在线擦写等功能特点，闪存的擦除方法 是在源极加正电压，利用浮动栅极与源极之间的隧道效应，把注入至浮 动栅极的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元 的源极联在一起，这样，闪存不能按字节擦除，而只能以全片(Flash chip) 或分块(block)的形式擦除。

一个闪存中包括若干个存储块(block)，现有技术中，当对整个Flash  chip进行擦除操作时，是以block为单位逐个进行擦除。例如，某个Flash 包括A、B、C三个block，完成整个Flash chip的擦除操作则需要先对A block进行擦除，然后对B block进行擦除，最后对C block进行擦除。， 并且，这种擦除是针对每个存储单元(cell)进行的，即需要针对block 中的每个cell执行预编程(pre-program)、擦除(erase)及软件编程 (post-program)等的步骤才能得以实现，显然这种擦除方式比较耗费时 间。再者，由于实际中一个闪存中所包括的存储块较多，闪存的容量越 来越大，并且为减少Flash的擦写次数，现有技术也越来越趋向于采用较 小的存储块来作为擦除单元，在这种情况下，一个闪存中的存储块将更 多，采用这种以block为单位逐个擦除的方式对整个Flash chip进行擦除， 不仅耗时，而且速度较慢，擦除效率较为低下。

因此，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如 何能够创新地提出一种非易失存储器的擦除机制，用以节省进行擦除操 作的时间，提高擦除速度和效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器器件的擦除方 法，用以节省进行擦除操作的时间，提高擦除速度和效率。

本发明所要解决的另一个技术问题是提供一种非易失存储器器件的 擦除装置，用以保证上述方法在实际中的应用。

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种非易失存储器器 件的擦除方法，包括：

确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储块；

并行擦除所述两个相邻存储块，其中，所述两个相邻存储块共用一 个地址计数器；

所述并行擦除两个相邻存储块的步骤包括：

对所述两个相邻存储块并行地进行预编程操作；

对所述两个相邻存储块并行地进行擦除操作；

针对各个存储块串行地验证擦除是否成功，若否，则对擦除不成功 的存储块重新进行擦除操作；

在所述两个相邻存储块擦除成功后，对所述两个相邻存储块进行并 行地软编程操作。

优选的，所述预编程操作进一步包括：

识别存储块中需要进行预编程操作的存储单元；

针对所述需要进行预编程操作的存储单元进行预编程操作；

所述软编程操作进一步包括：

识别存储块中需要进行软编程操作的存储单元；

针对所述需要进行软编程操作的存储单元进行软编程操作。

本发明实施例还公开了一种非易失存储器的擦除装置，包括：

内部电源模块，用于同时对两个相邻存储块进行供电，以及进行两 个相邻存储块的选通控制、电源切换控制和操作状态控制；

存储块确定模块，用于确定非易失存储器中欲擦除的两个相邻存储 块；

存储块擦除模块，用于并行擦除所述相邻两个存储块，其中，所述 两个相邻存储块共用一个地址计数器；