[发明专利]一种对闪存进行数据编程的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种对闪存进行数据编程的方法和装置。 

背景技术

闪存(Flash)是一种用于存储数据的存储装置，其具有即使停止电源供应也保持数据未受到擦除的特性(非易失性)。由于此原因，所以闪存已被用作诸如移动电话、PDA及MP3播放器之类的电子产品的数据存储装置，并且具有应用越来越广泛的趋势。 

一般来说，Flash可以分为NOR型Flash及NAND型Flash。它们的共同之处在于：数据通过编程操作存储(写入数据)，且通过擦除操作擦除。二者都是是电压控制型器件，NAND型Flash的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR型Flash擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。 

一般的，如果执行编程操作，则Flash存储单元(cell)的阈值电压升高；相反，如果进行擦除操作，则该Flash存储单元的阈值电压降低。例如，在NAND类型的Flash中，如果执行编程操作，则存储单元的阈值电压增加至高于0V。如果执行擦除操作，则存储单元的阈值电压降低至低于0V。 

参见图1，简单描述现有的对Flash进行编程操作的过程。 

步骤101、数据输入步骤； 

步骤102、对当前字节进行数据验证； 

步骤103、如果该字节需要编程，则对其进行编程，然后返回步骤102； 

步骤104、如果该字节验证通过，即所存储的数据与所需写入的数据相同，不需要编程操作了，则结束对该字节的编程操作，进入下一字节的编程过程。 

针对每个所需编程的字节，重复完成上述的步骤102到104，就可以实 现对Flash的编程操作了。 

但是在实际应用中，上述编程操作过程存在一些问题和缺陷。具体的，在编程过程中，当对一个字节编程完成之后需要对其编程结果进行验证，如果验证不通过的话，还需要对该字节重新进行编程操作。由于在这个过程中，编程操作和验证操作对控制Flash的cell的栅极和漏极所加的电压是不同的，当对单字节操作(一个字节位对应一个cell)时，不停的切换控制栅极和漏极电压将极大的影响编程速度。 

例如，对于NOR型Flash而言，在编程操作时，栅极和漏极所加的电压分别大约是：9.0V和4.2V，而在验证操作时，栅极和漏极所加的电压分别是：5.5V和1.0V。栅极电压和漏极电压分别由电压泵产生，电压在大幅度切换的时候，需要充放电的时间。由于现有技术中的电压切换次数较多，充放电时间加起来就比较可观，严重影响编程速度。 

总之，目前需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够提出一种改进型的编程操作方法，可以提高现有的Flash编程速度。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种对闪存Flash进行数据编程的方法和装置，其可以基于Flash的一个整页进行数据编程，减少控制栅极和漏极的电压的切换次数，从而可以提高现有的Flash编程速度。 

为了解决上述技术问题，本发明实施例公开了一种对闪存进行数据编程的方法，包括以下步骤： 

步骤a、数据输入步骤； 

步骤b、验证整个当前页，获取其中需要进行编程的字节，并记录至相应的缓冲存储器；如果在当前页中没有需要进行编程的字节，则结束对当前页的数据编程，进入下一页； 

步骤c、依据所述缓冲存储器所记录的信息，依次对相应的字节进行编程；如果对当前页中所需编程的字节均已编程，则返回步骤b；否则，继续执行步骤c，对下一字节进行操作。 

优选的，对于步骤b，还可以包括：当所输入的数据均已编程完毕时，则无需进入下一页，结束整个编程操作。 

优选的，通过以下步骤验证整个当前页：从该页的起始地址开始以字节为单位， 

第1步骤，比较需要向该字节写入的数据和该字节已存储的数据； 

第2步骤，将比较结果写入与该字节地址相对应的缓冲存储器的相应位置； 

重复上述第1步骤和第2步骤，直至验证完整个当前页。 

优选的，当进行操作的当前字节的地址为当前页的最后一个地址时，判定为对当前页中所需编程的字节均已编程。