[发明专利]一种控制溶液晶体生长速率的方法

权利要求书

1.一种控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，该方法使用由不锈钢筛网-疏水型的微孔滤膜-不锈钢筛网组成的三层结构作为结晶器顶盖的密封件，利用其透气、不透水的功能，并通过溶液蒸发法来控制晶体生长的速率。

2.如权利要求1所述的控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，所述疏水型的微孔滤膜的孔径等于或小于10微米。

3.如权利要求1所述的控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，所述疏水型的微孔滤膜的材质为聚四氟乙烯。

4.如权利要求1所述的控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，所述控制溶液晶体生长速率的方法中晶体生长溶液配置方法为：配制所需物质的室温近饱和溶液，将所需物质溶解在设定体积的水中，升温并不断搅拌使其全部溶解，在高于饱和温度10℃下进行过热处理24h，然后降温制成室温下的近饱和溶液。

5.如权利要求1所述的控制溶液晶体生长速率的方法，其特征在于，所述控制溶液晶体生长速率的方法中，所述疏水型的微孔滤膜和不锈钢筛网组成的三层结构和吸附剂配合使用，并结合晶体生长液的温度、籽晶的截面积、疏水型的微孔滤膜的孔径大小、面积大小和吸附剂的用量来控制晶体生长速率。