[发明专利]一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路

权利要求书

1.一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，其特征在于，该 限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流 MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号 输入到电压比较器中，用于区分读写擦电压，依据读写擦脉冲信号的操作 电平来调节所述电压比较器的参考电压，并将所述电压比较器输出的电平 作为所述单刀双掷模拟开关的控制信号，通过此控制信号，来决定在此操 作电压下是否把RRAM器件选通到所述限流MOS管支路；另一路信号直 接加到待测的RRAM器件上，提供操作电压。

2.根据权利要求1所述的用于测试阻变存储器性能指标的限流电路， 其特征在于，所述电压比较器进一步连接一可调的参考电压产生电路，该 可调的参考电压产生电路采用三端可调集成稳压器，并接入可变电阻和负 电压，使其从正电压到负连续可调。

3.根据权利要求1所述的用于测试阻变存储器性能指标的限流电路， 其特征在于，在所述限流MOS管的栅极端，进一步连接一可调的栅电压 产生电路，该可调的栅电压产生电路是由基准电压源、集成运算放大器和 可变电阻所组成，用于产生精确的栅压控制信号，从而能精确控制源漏电 流。

4.根据权利要求1所述的用于测试阻变存储器性能指标的限流电路， 其特征在于，所述限流MOS管是小信号MOS管，使源漏电流能控制在 1mA的范围内。

5.根据权利要求1所述的用于测试阻变存储器性能指标的限流电路， 其特征在于，所述输入到本电路中的读写擦脉冲信号是由脉冲发生器产生 的。

6.根据权利要求1所述的用于测试阻变存储器性能指标的限流电路， 其特征在于，该限流电路进一步包括多个外围接口，该多个外围接口包括 BNC接口和TBC接口，所述BNC接口方便与脉冲发生器直接相连，所述 TBC接口则方便与矩阵开关及半导体电流电压测试仪相连。