[发明专利]一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法

权利要求书

1.一种图形化有机场效应晶体管有源层的制备方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1、在亲水性的绝缘层或介质层表面形成高疏水性粘附层图形；

步骤2、在形成高疏水性粘附层图形的绝缘层或介质层表面沉积有机半导体溶液，该有机半导体溶液自动迁移到没有高疏水性黏附层的区域；

步骤3、烘烤除去溶剂，形成图形化的有机半导体薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中所述绝缘层或介质层为亲水性薄膜，使步骤2中有机半导体溶液能够很好地粘附在其表面。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是通过光刻剥离、气相沉积、图章印刷或喷墨打印方法形成的。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中所述高疏水性粘附层的图形是由trichloro(1H，1H，2H，2H-perfluorooctyl)silane(FOTS)材料形成的。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中所述的有机半导体溶液是P3HT溶液。