[发明专利]全致密块状各向异性纳米晶SmCo5磁体的制备方法无效
申请号: | 200910077009.1 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN101476055A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 岳明;刘卫强;张东涛;张久兴;吕文春 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;H01F41/02 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张 慧 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 致密 块状 各向异性 纳米 smco sub 磁体 制备 方法 | ||
1.一种全致密块状各向异性纳米晶SmCo5磁体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将纯度大于99.9%的Sm和纯度大于99.9%的Co金属按照SmCo5的成分配比在纯度为99.999%的氩气保护条件下,在悬浮炉中熔炼母合金后,将母合金在纯度为99.999%的氩气保护条件下球磨5小时,获得非晶态合金粉末;
2)将非晶态合金粉末装入碳化钨硬质合金模具中后,进行快速热压处理获得全致密各向同性纳米晶SmCo5磁体,快速热压工艺参数为:于100-1000Mpa的压力下,以50-200℃/min的升温速率,从室温升温至600-700℃,并保温0-10min;
3)对全致密各向同性SmCo5磁体进行快速热压变形处理,得到全致密各向异性纳米晶SmCo5磁体,快速热压变形工艺参数为:于20-60Mpa的压力下,以50-150℃/min的升温速率升温至750-900℃,并保温0-10min,形变率为70%、80%、90%。
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