[发明专利]具有低导通电阻的沟槽DMOS器件有效
| 申请号： | 200910072919.0 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101656269A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王颖;程超;曹菲;杨晓冬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/38;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区南通*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 通电 沟槽 dmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，包括第一导电类型的衬底(46)、 第一导电类型的外延层(45)和位于其上的体区(42)，体区(42)具有第二导电类型； 至少一个沟槽(48)贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层(38)， 导电电极(40)位于沟槽中覆盖隔离介质层；第一导电类型的源区(39)位于邻 近沟槽的体区上部；其特征是：它还具有位于紧邻沟槽(48)下端的第二导电类 型掺杂区(43)，并且所述第二导电类型掺杂区(43)被第一导电类型掺杂区(44) 包围，第一导电类型掺杂区(44)的掺杂浓度高于外延层(45)。
2.根据权利要求1所述的具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，其特征是：所 述第二导电类型掺杂区(43)的形状是规则矩形、非规则矩形、规则圆形或非规 则圆形。
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