[发明专利]低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法

权利要求书

1、低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于制备织构可控的铅基铁电薄膜按以下步骤实现：一、在基底上沉积一层厚度为5～20nm的钛酸镧钙铅系铁电薄膜，然后在温度为400～450℃条件下进行退火结晶处理，得种子层薄膜A；二、在种子层薄膜A上继续沉积一层厚度为200～300nm的钛酸铅系铁电薄膜，然后在温度为450～700℃条件下进行退火结晶处理，得织构可控的铅基铁电薄膜；其中步骤一中钛酸镧钙铅系铁电薄膜的分子式为(Pb_1-x-yLa_xCa_y)Ti_1-x/4O₃，其中0≤X≤0.24，0≤Y≤0.24；步骤二中钛酸铅系铁电薄膜为钛酸铅铁电薄膜、锆钛酸铅铁电薄膜或铌-锆钛酸铅铁电薄膜。

2、根据权利要求1所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中基底为Pt/Ti/SiO₂/Si基底。

3、根据权利要求1或2所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中以5～10℃/s的升温速度升温至400～450℃。

4、根据权利要求3所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中0.10＜X＜0.20。

5、根据权利要求3所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中X＝0.15。

6、根据权利要求1、2、4或5所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中0.10＜Y＜0.20。

7、根据权利要求1、2、4或5所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤一中Y＝0.15。

8、根据权利要求7所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤二中在薄膜A上继续沉积一层厚度为250nm的钛酸铅系铁电薄膜。

9、根据权利要求1、2、4、5或8所述的低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，其特征在于步骤二中以5～80℃/s升温速度升温至450～700℃。