[发明专利]量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法无效
申请号: | 200910072263.2 | 申请日: | 2009-06-12 |
公开(公告)号: | CN101571886A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 李美成;张森;熊敏;陈雪飞 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L31/101 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 徐爱萍 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 红外探测器 材料 结构 模拟 设计 方法 | ||
1.一种量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,其特征在于:所述方法是这样实现的:
步骤一、建立物理模型:选择量子阱的结构参数,即势阱厚度Lw的范围是2nm~6nm;势垒厚度LB的范围是20nm~60nm;势垒中铝的组分xAl的范围是0.1~0.6;Si掺杂浓度ND的范围是1×1017cm-3~4×1018cm-3;总周期数N的范围是5~100及工作温度T的范围是0K~350K,建立沿着材料生长方向的导带能级Ec的函数:
其中n=1,2,…,N;
步骤二、求解特征能级Ei和波函数Ψi,其中i为子带能级的序数:将导带能级Ec带入到势函数V中,即:
V=Ec-eΦ (2)
其中:e为核电荷数;Φ为静电势能,初始值设为0;然后将V带入到薛定谔方程中,即:
其中m*为有效质量、 为普朗克常数、z为材料生长方向;
步骤三、求解总电子密度nq(Φ):为了计算得到总电子密度nq(Φ),需要计算每个能级上的电子密度并求和,将步骤二中得到的特征能级Ei和波函数Ψi带入下式:
其中:kB为波尔兹曼常数;T为工作温度;π为圆周率;Ef为费米能级,Ef通过电流连续方程得出;
步骤四、求解新的静电势能Φ’:将经步骤三计算得到的总电子密度nq(Φ)带入到泊松方程中,即:
得到新的静电势能Φ’,其中ε为介电常数;
步骤五、静电势能判断:如果‖Φ′-Φ‖=0成立,说明静电势能保持稳定,继续下一步骤六;如果‖Φ′-Φ‖=0不成立,则跳到步骤七;
步骤六、输出结果:最后得到设计结构的总电子密度nq(Φ)、特征能级Ei和波函数Ψi;
步骤七、预制微扰自洽迭代:具体过程如下:
7.1预制微扰计算新的总电子密度nkq,k代表微扰:
7.2求解泊松方程:
得到新的微扰静电势能Φk;
7.3微扰静电势能判断:
如果qΔΦ=q(Φk-Φ)=0成立,回调到步骤二,同时Φk替换成Φ;如果qΔΦ=q(Φk-Φ)=0不成立跳回到步骤7.1,同时Φ被替换成Φ’,Φ’被替换成Φk。
2.根据权利要求1所述量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,其特征在于:步骤一中,选择量子阱的结构参数分别为:势阱厚度Lw=5nm;势垒厚度LB=50nm;势垒中铝的组分xAl=0.26;Si掺杂浓度ND=1×1018cm-3;总周期数N为50及工作温度T=300K。
3.根据权利要求1所述量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,其特征在于:步骤一中,选择量子阱的结构参数分别为:势阱厚度Lw=4nm;势垒厚度LB=50nm;势垒中铝的组分xAl=0.30;Si掺杂浓度ND的范围是1×1017cm-3~4×1018cm-3;总周期数N为50及工作温度T=300K。
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