[发明专利]锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法

权利要求书

1.锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于锇膜电阻线原子氧传感器芯 片的制造方法是按下述步骤完成的：一、用物理气相沉积法在基片上依次沉积铬膜和金膜； 二、然后在金膜表面上电镀锇膜；三、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜后在锇膜表面形成 线形的光刻胶图案；四、然后用电化学阳极溶解法刻蚀锇膜；五、再用湿化学法刻蚀金膜， 经去胶后在基片表面形成锇膜电阻线，得到锇膜电阻线原子氧传感器芯片；其中步骤一中铬 膜的厚度为5～20nm；步骤二中锇膜的厚度为0.2～100μm，步骤四中锇膜电阻线宽为1～2000 μm。

2.根据权利要求1所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于步骤 一中所述的基片是玻璃、氧化铝基片或硅片。

3.根据权利要求1或2所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在 于步骤二中将经步骤一处理的基片放入65～75℃的电镀液中，在电流密度为1.0～2.5A/dm²条件下电镀获得厚度为0.2～100μm的锇膜，其中电镀液主要由(NH₄)₂OsCl₆、NH₂SO₃H、 NH₂SO₃NH₄和水组成，(NH₄)₂OsCl₆的浓度为5～15g/L，NH₂SO₃H的浓度为20～30g/L， NH₂SO₃NH₄的浓度为5～15g/L；或者步骤二中将经步骤一处理的基片放入70～85℃的电镀 液中，在电流密度为0.5～2.5A/dm²条件下电镀获得厚度为0.2～100μm的锇膜，其中电镀液 主要由OsO₄、NH₂SO₃H和水组成，电镀液的pH值＝13.5～14，OsO₄的浓度为1～3g/L， NH₂SO₃H的浓度为1～30g/L。

4.根据权利要求3所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的电镀液还包括去针孔剂，去针孔剂的浓度为0.01～10g/L。

5.根据权利要求4所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的去针孔剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠或双氧水。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其 特征在于步骤三中所述的光刻胶为正性光刻胶或负性光刻胶。

7.根据权利要求6所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于步 骤四中所述的电化学阳极溶解法为线性电势扫描法、恒电势电解法、微分脉冲伏安法、方 波伏安法、交流伏安法或方波电势法；电化学阳极溶解法刻蚀锇膜用的电解液是浓度为 0.005～10mol/L的硫酸溶液。

8.根据权利要求7所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的线性电势扫描法的扫描电势上限控制为相对于饱和甘汞电极0.7～1.4伏，扫描次数为 1～10次。

9.根据权利要求7所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制造方法，其特征在于所 述的恒电势电解法的电极电势恒定在相对于饱和甘汞电极0.7～1.4伏，电势恒定时间为 2～1800秒。

10.根据权利要求1、2、4、5、7、8或9所述的锇膜电阻线原子氧传感器芯片的制 造方法，其特征在于步骤五中所述的湿化学法刻蚀金膜为碘化钾刻蚀、双氧水刻蚀或氰化 物刻蚀。