[发明专利]真空离子溅射镀膜在IML工艺中的应用方法无效
| 申请号： | 200910070607.6 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101698935A | 公开（公告）日： | 2010-04-28 |
| 发明（设计）人： | 曾晓东;刘静艳;石云;王树清 | 申请（专利权）人： | 天津市中环高科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 离子 溅射 镀膜 iml 工艺 中的 应用 方法 | ||
【权利要求书】：
1.真空离子溅射镀膜在IML工艺中的应用方法，其特征在于通过先镀金属In与Sn非导电金属层，后镀金属Al2O3和SiO2保护层的工艺，使镀膜区域能够耐受油墨侵蚀与成型过程的拉伸，所述方法包括如下工艺步骤：
(1)在图案油墨层上沉积非导电金属层：镀膜材料选择金属In，Sn合金，配比为3∶7；沉积厚度控制在30～60纳米之间，真空度控制在5×10-6Torr以上，镀膜时间控制在10min-15min之间；
(2)在非导电金属层上沉积保护层：在In与Sn的表面依次沉积Al2O3和SiO2，厚度应分别控制在30～40纳米和60～70纳米之间。
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