[发明专利]激光晶体抗热畸变的冷却装置及实现方法无效

专利信息
申请号: 200910070422.5 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN101656392A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 柴路;葛文琦;闫杰;胡明列;王清月 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01S3/042 分类号: H01S3/042
代理公司: 天津市杰盈专利代理有限公司 代理人: 王小静
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 激光 晶体 抗热 畸变 冷却 装置 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种激光晶体抗热畸变的冷却装置,其特征在于它包括:

环绕式水冷套,用于提供晶体环绕对称的温度场分布,并通过水温调节控制晶体的环绕温度,环绕式水冷套中的循环水是由温度可控的恒温制冷机提供;对于激光器不同功率下的运转,测量出激光晶体的表面温度;根据测量的激光晶体表面温度调整环绕式水冷套中的循环水温度,使晶体中心与水冷套之间的温差最小;

制冷池,用于给装有激光晶体的环绕式水冷套提供整体外部冷却环境;

半导体制冷器,用于提供制冷池内的环境降温;

排气风扇,用于维持制冷池中的冷气流动,增加导热率;

制冷池的顶面与半导体制冷器的制冷端相连接,制冷池的下端安装排气风扇,制冷池的侧面有通光窗口;激光晶体安装在环绕式水冷套中间;环绕式水冷套内通以温度可调的循环水,环绕式水冷套与冷却池隔热密封连接;环绕式水冷套置于制冷池中间;晶体通光方向对准制冷池的通光窗口;

所述的环绕式水冷套为铜质;激光晶体安装在环绕式水冷套中间,循环水环绕于晶体的周围;循环水采用温度可控的恒温制冷机提供。

2.根据权利要求1所述的激光晶体抗热畸变的冷却装置,其特征在于:所述的半导体制冷器的一边为制冷端,制冷温度-20℃-50℃可调,该端与制冷池顶面相连,为制冷池提供降温,另一边为散热端,由散热片散热。

3.根据权利要求1所述的激光晶体抗热畸变的冷却装置,其特征在于:所述的排气风扇为与制冷池大小相匹配的小叶扇,置于制冷池底部。

4.根据权利要求1所述的激光晶体抗热畸变的冷却装置,其特征在于:所述的环绕式水冷套中放晶体的孔的大小和形状要与晶体尺寸匹配。

5.权利要求1所述的激光晶体抗热畸变冷却装置的实现方法,其特征在于包括的步骤:

1)将激光晶体安装到环绕式水冷套中间,将包含晶体的环绕式水冷套固定于制冷池中间,并保持晶体通光面对准制冷池侧面上的窗口;

2)在制冷池顶面安装半导体制冷器,底面安装排气风扇,半导体制冷器的温度控制在10℃,通过制冷池壁的传导和底部排气风扇的对流作用,维持制冷池内的温度在10℃;

3)环绕式水冷套中的循环水是由温度可控的恒温制冷机提供,对于激光器不同功率下的运转,测量出激光晶体的表面温度,根据测量的激光晶体表面温度调整环绕式水冷套中的循环水温度,使晶体中心与水冷套之间的温差最小;

4)通过激光光束质量分析仪实时监测温差改变前后的激光光斑变化。

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