[发明专利]具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法无效
申请号: | 200910068597.2 | 申请日: | 2009-04-23 |
公开(公告)号: | CN101872876A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 张兆科;张宜楠;呙成;刘邦卫;杨帆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01M10/28 | 分类号: | H01M10/28;H01M10/30;H01M4/26;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M4/66 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王来佳 |
地址: | 300381 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高荷电 保持 能力 电池 制造 方法 | ||
1.一种具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,包括电极制造、电极与电解液封装,其特征在于:
电极制造:
箔式粘结Cd电极制造方法为:(1)将主料Cd0和海棉Cd、活性添加剂、导电剂在合粉机内充分混合均匀后,分3-5批加入粘合剂,在搅拌机中搅拌后,得到浆料;(2)将所得浆料均匀涂于镍带或镀镍钢带上,至厚度≤0.4mm,并经50℃±2℃干燥1.5-2.5h;(3)将干燥后的带浆料层的镍带或镀镍钢带辗压成型,至厚度为0.30±0.2mm,即得箔式粘结Cd电极;
箔式烧结氧化镍电极制造方法为:(1)多孔镍基板制造;(2)将多孔镍基板投放至含有Co++、Cd++的Ni(NO3)2水溶液中浸渍,浸渍温度为75℃~85℃,浸渍时间为2~2.5小时,形成浸渍镍基板;(3)将浸渍镍基板取出经干燥空气干燥15min-30min,投入比重为1.2±0.01g/cm3 NaOH碱液中浸碱,浸1~1.5小时,使Co++、Cd++的Ni(NO3)2转变为氢氧化物活性物质;(4)将浸碱后的极板放入40~50℃的水中洗至无碱,然后在50~60℃下干燥2~3h;(5)重复第(2)~(4)操作3~5次后,填充的活性物质Ni(OH)2、Cd(OH)2、Co(OH)2增重≥1.2g/cm3,即可完成箔式烧结氧化镍电极制造,并将该箔式烧结氧化镍电极进行隔膜封包;
电极与电解液封装:
将箔式粘结Cd电极、隔膜封包的箔式烧结氧化镍电极及电解液进行封装即完成镉镍电池的制造。
2.根据权利要求1所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述箔式粘结Cd电极制造中各组分及其质量百分比范围分别为:所采用的Cd0和海棉Cd添加质量比3.5-4.5∶1,共占总粉量质量的91.5-92%;所采用的活性添加剂为Ni(OH)2,占总粉量质量的1.5-1.6%;所采用的导电剂为镍粉和乙炔黑,二者质量比11-12∶1,占总粉量质量的6-7%;所采用的粘合剂为CMC或HPMC溶液,占总质量的9%。
3.根据权利要求2所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述总粉量为除粘合剂外的其他所有粉状物质,包括主料、活性添加剂及导电剂;所述CMC浓度为4-6%,HPMC溶液浓度为1-2%;所述总质量为总粉量与粘合剂量的总和。
4.根据权利要求1所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述箔式烧结氧化镍电极的多孔镍基板的制造工艺是:以羰基镍粉作主料,添加PVB作增孔剂,增孔剂的添加量为镍粉重量的30%,两种粉料在合粉机中混合均匀后,以镍带或镀镍钢带作骨架,在滚压机中滚压成型,滚压成型厚度0.6mm;然后在温度为930℃±20℃的氢气炉中烧结15~30分钟,制出厚度≤0.40mm的多孔镍基板。
5.根据权利要求1所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述箔式烧结氧化镍电极的多孔镍基板的制造工艺是:使用羰基镍粉与CMC水溶液或HPMC水溶液混合成浆,其质量比为镍粉∶2.5%CMC=1∶1,涂覆于镍带或镀镍钢带上,其厚度为0.6mm,经140~220℃干燥后,在温度为930℃±20℃的氢气炉中烧结15~30分钟,制出厚度≤0.40mm的多孔镍基板。
6.根据权利要求1所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述电解液采用比重1.45±0.02g/cm3的KOH、NaOH、LiOH的三元电液。
7.根据权利要求1所述的具有高荷电保持能力的镉镍电池的制造方法,其特征在于:所述箔式烧结氧化镍电极进行隔膜封包的方法是:使用隔膜包于箔式烧结氧化镍电极上,毡状膜采用的是耐碱、耐氧化致密度高、电液保持能力强的毡状膜如聚丙烯磺化膜、半芳香族聚酰胺毡状膜或氯化聚氯乙烯毡状膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910068597.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:宽频补偿装置
- 下一篇:钢铁材料控冷CCT曲线测定方法