[发明专利]采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法无效
| 申请号： | 200910067383.3 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101645577A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 李占国;刘国军;尤明慧;李林;李梅;乔忠良;邹永刚;邓昀;王勇;王晓华;赵英杰 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 采用 alsb 缓冲 制备 algaassb ingaassb 多量 外延 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器结构，包括采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的结构；激光器具体结构为：n型GaSb衬底(1)；AlSb缓冲层(2)，生长温度500℃，厚度30nm；n型Al0.35Ga0.65As0.03Sb0.97下限制层(3)，生长温度520℃，Te掺杂，浓度为5×1018cm-3，生长0.3μm；5个周期的Al0.35Ga0.65As0.03Sb0.97/In0.65Ga0.35As0.1Sb0.9多量子阱层，生长温度520℃，生长厚度分别为15nm、9nm；p型Al0.35Ga0.65As0.03Sb0.97上限制层(6)，生长温度520℃，Be掺杂，浓度为5×1018cm-3，厚度为0.3μm；p型GaSb欧姆层(7)，生长温度540℃，Be掺杂，浓度为2×1019cm-3，生长20nm。
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