[发明专利]一种镀金用柠檬酸金钾及其制备方法无效
| 申请号: | 200910066096.0 | 申请日: | 2009-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN101671839A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
| 发明(设计)人: | 张群刚 | 申请(专利权)人: | 三门峡恒生科技研发有限公司 |
| 主分类号: | C25D3/48 | 分类号: | C25D3/48 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 472000河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 镀金 柠檬酸 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀金用柠檬酸金盐,特别是涉及一种镀金用柠檬酸金钾及其制备方法。
背景技术
在镀金工业中,由于氰化钾对金离子具有很强的络合力,在电镀时,我国多数企业选用无机电镀金盐——氰化亚金钾做为镀金的主盐,在电镀时根据工件的耐蚀性和镀层、镀件的特性再配制酸性镀金或碱性镀金溶液,以满足对工艺条件的要求。
国防工业出版社1990年6月第一版,1993年11月第二次印刷的由李鸿年、张绍恭、张炳乾、宋子玉等编著的《实用电镀工艺》一书中,介绍了镀金工艺。主要有氰化物镀金、亚硫酸盐镀金,柠檬酸盐镀金等,除亚硫酸盐镀金外,其它镀金均采用氰化金钾KAu(CN)2做为镀金的主盐。在碱性氰化镀金时,其辅助材料是氰化钾、碳酸钾、磷酸二氢钾,由于该镀金工艺的电镀液中氰化钾含量过高、毒性较大,大多数企业不多使用。柠檬酸盐镀金属于弱酸性镀金,在镀金行业应用较多,柠檬酸盐镀金也是以氰化金钾做为含金主盐,辅助材料是柠檬酸、柠檬酸钾、磷酸二氢钾。
在生产镀金主盐氰化金钾时,每生产1公斤氰化金钾,要消耗1.2-1.8公斤剧毒物质氰化钾(KCN)。据有关报道,我国电镀业每年要消耗百吨以上的黄金,氰化钾的使用量在300吨左右。在电镀时,黄金被还原成金属离子镀在被镀的物体上,起络合作用的氰化钾呈游离状态残留在废镀液中被排放,这样每年约有300余吨的氰化物被排放到自然环境中。氰化物的毒性极强,它的致死量LD50=1mg/kg,吸入0.1g的氰化物就可以致人死亡。企业多用氰化物做为镀金主盐是因为氰化物对黄金有独特的络合性。氰化金钾的制作过程是以剧毒物质氰化钾(KCN)与黄金在一定温度和条件下反应生成的无机金盐,其化学名称为二氰络金酸钾,又名氰化金钾,俗称:金盐,分子式为KAu(CN)2,属无机盐化合物。氰化金钾KAu(CN)2含氰(CN-)17-23%,其中含有0.1-1%的游离CN-,其致死量LD50=17mg/kg,系剧毒物质,在电镀时配制成电镀溶液后总CN-含量为2200mg/L,电镀后的残液中CN-含量为500-1089mg/L,甚至更高,该含氰废水的排放,对环境造成严重毒害和污染,使一些江河湖泊的鱼、虾绝迹,电镀行业已成为我们国家的主要污染源之一。
发明内容
本发明的目的是提出一种不含游离氰,镀金后的废液中仅残留有微量游离氰的用于镀金的柠檬酸金钾。
为达到以上目的,本发明采用如下的技术方案:
一种镀金用柠檬酸金钾,其分子式为:KAu2N4C12H11O8,结构式为:
本发明还提出一种上述镀金用柠檬酸金钾的制备方法,包括如下步骤:
a、常压、搅拌下向温度为80-85℃的水中加入三氯化金,使其完全溶解;
b、将上述三氯化金溶液在80-85℃温度下进行浓缩,待浓缩到原体积1/5时,向浓缩液中补充水到原体积,在同样条件下,再浓缩至原体积1/5,再补充水到原体积;
c、将上述三氯化金溶液温度保持在80-85℃,将柠檬酸钾溶液加入到反应器中调节pH值,当pH值调到5-7时,加入乙二胺四乙酸溶液,再滴加柠檬酸钾溶液和丙二腈溶液,调整溶液pH值为8-9,得无色透明状溶液;
d、将c所得到的无色透明状溶液移入到冷却器中进行冷却,使其冷却到0-5℃,并保持这一温度,静置4-6小时,冷却器中出现白色结晶体沉淀,将沉淀的白色结晶体移入到抽滤器中,抽滤除去水份;
e、将除去水份的白色结晶体移入到烘箱中,在80-105℃的温度下烘干即为成品。
作为优选,步骤c中所用的柠檬酸钾溶液浓度为0.04-0.06g/ml。
作为优选,步骤c中所用的乙二胺四乙酸溶液浓度为0.05-0.06g/ml。
作为优选,步骤c中所用的丙二腈溶液浓度为0.15-0.25g/ml。
本发明提供的柠檬酸金钾的优点是:产品不含游离氰,不会造成人员伤害和环境污染;产品经过电镀后,电镀溶液中的有害物质排放仅是传统电子化工原料的千分之一点二,低于国家环保排放标准8.02倍;该产品系清洁电子化工原料,可取代传统电子化工原料氰化亚金钾。
附图说明
图1为柠檬酸金钾的DSC-TGA曲线;
图2为柠檬酸金钾的XRD图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三门峡恒生科技研发有限公司,未经三门峡恒生科技研发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910066096.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于太阳能电池制造的小接触的阵列
- 下一篇:半导体元件的冷却构造





