[发明专利]异硫氰酸荧光素标记的钙磷材料及其制备方法无效
| 申请号: | 200910063317.9 | 申请日: | 2009-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN101643645A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
| 发明(设计)人: | 张胜民;仇志烨;刘健;王深琪;周磊 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06;C12Q1/02;A61K49/00 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 周发军 |
| 地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氰酸 荧光 标记 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种异硫氰酸荧光素标记的钙磷材料,其特征在于,钙磷材料与异 硫氰酸荧光素通过氨基硅烷偶联剂共价结合,硅烷偶联剂与材料表面形成 硅-氧-磷共价键,偶联剂中的氨基基团与荧光素中异硫氰根共价结合,形 成稳定的荧光标记的钙磷材料。
2.根据权利要求1所述的异硫氰酸荧光素标记的钙磷材料,其特征在 于,所述钙磷材料为α-磷酸三钙、β-磷酸三钙、磷酸四钙或者羟基磷灰 石,以及元素掺杂钙磷材料。
3.根据权利要求2所述的异硫氰酸荧光素标记的钙磷材料,其特征在 于,所述的元素掺杂钙磷材料为晶格中钙元素被取代的含镁、锶、镧系元 素、铁、镍、铜、银、锌羟基磷灰石,晶格中羟基被取代的含氟、氯羟基 磷灰石,以及晶格中磷酸根被取代的含碳酸根、硅羟基磷灰石。
4.根据权利要求1所述的异硫氰酸荧光素标记的钙磷材料,其特征在 于,所述氨基硅烷偶联剂为γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基 硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙 基甲基二甲氧基硅烷、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(β-氨 乙基)-γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷、苯氨 基甲基三甲氧基硅烷、苯氨基甲基三乙氧基硅烷、二乙烯三氨丙基三甲氧 基硅烷、二乙烯三氨丙基三乙氧基硅烷或者二乙烯三氨丙基甲基二甲氧基 硅烷。
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