[发明专利]一种157nm深紫外激光微加工制备场致发射阴极的方法

权利要求书

1.一种157nm深紫外激光微加工制备场致发射阴极的方法；其特征在于以157nm深紫外激光做光源，通过光学准直系统变为平行光后直接辐照刻有加工所需形状的多孔掩 模板，通过多孔掩模板的选通性对单晶硅工件进行刻蚀，通过多孔掩模板的多层次刻蚀，在单晶硅上制备倒锥阵列；在制备好的单晶硅倒锥模型中注入有机聚合物，并在10^-2真空度下凝固成型，制备出柔性的尖锥阵列，然后在制备出的尖锥阵列上低温沉积场致发射材料氮化镓或氧化锌薄膜，制备出微锥型可折叠的场致发射阴极。

2.根据权利要求1所述的一种157nm深紫外激光微加工制备场致发射阴极的方法；其特征在于多孔掩 模板刻有多重尺寸的图形，掩 模板尺寸大小为10cm×10cm。