[发明专利]一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200910062973.7 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101604718A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;罗红波 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 侧面 倾斜 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种侧面倾斜的发光二极管芯片，包括衬底及层叠于衬底之上的外延层，该外延层依次包含缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，P型层上镀有透明导电层，P型层上设置有P电极，N型层上设置有N电极；芯片表面除P、N电极以外的表面生长有钝化层；其特征在于：其外延层的侧面为倾斜面。
2、根据权利要求1所述的侧面倾斜的发光二极管芯片，其特征在于：外延层的侧面倾斜的角度大于0°，而小于或等于70°。
3、根据权利要求1所述的侧面倾斜的发光二极管芯片，其特征在于：外延层的组分为氮化镓、氧化锌或是碳化硅。
4、根据权利要求1所述的侧面倾斜的发光二极管芯片，其特征在于：芯片的尺寸外观是任意的，对其俯视平面结构是长方形、正方形、圆形或不规则多边形。
5、一种侧面倾斜的发光二极管芯片的制备方法，首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；刻蚀出N型层区域，在P型区域镀上透明导电层，并在N、P区域分别蒸镀金属N、P电极，在整个芯片上制备钝化层；其特征在于：通过钝化层的保护，对外延进行刻蚀，控制向两侧刻蚀的速度，形成倾斜的刻蚀侧面；对芯片进行减薄、划片、裂片、测试和分选。
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