[发明专利]反向阻断二极晶闸管

权利要求书

1.一种反向阻断二极晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的晶闸管芯片，晶闸管芯片为P1阳极发射区(3)、N1长基区(4)、P2短基区(5)、N2阴极发射区(6)四层结构，P1阳极发射区(3)外为烧结欧姆接触层(2)和阳极钼片(1)，N2阴极发射区(6)设有阴极表面金属镀层(7)，晶闸管芯片台面设有保护胶层(9)，其特征是：所述的晶闸管芯片N2阴极发射区(6)设有特别阴极区(8)，该区域及其下方的杂质浓度高于N2阴极发射区(6)，并在N2阴极发射区(6)和P2短基区(5)的界面形成阴极沟道(10)。

2.根据权利要求1所述的一种反向阻断二极晶闸管，其特征是：所述的特别阴极区(8)位于晶闸管芯片中心。

3.根据权利要求1或2所述的一种反向阻断二极晶闸管，其特征是：所述的特别阴极区(8)为刻蚀槽，在该刻蚀槽(8)下方及周围形成浓度高于N2阴极发射区(6)浓度的高浓度N型区，且高浓度N型区伸入P2短基区(5)，形成阴极沟道(10)。

4.根据权利要求3所述的一种反向阻断二极晶闸管，其特征是：所述的N2阴极发射区(6)是单窗口扩散形成的整块式阴极发射区。

5.根据权利要求3所述的一种反向阻断二极晶闸管，其特征是：所述的N2阴极发射区(6)是多窗口扩散形成的分块式阴极发射区。

6.根据权利要求2所述的一种反向阻断二极晶闸管，其特征是：所述的特别阴极区(8)是直接在晶闸管芯片中心部位进行选择扩散形成的，该扩散也使N2阴极发射区(6)的结深向P2短基区(5)推进，形成阴极沟道(10)。