[发明专利]SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法无效

专利信息
申请号: 200910062415.0 申请日: 2009-06-03
公开(公告)号: CN101907661A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 陈小明;王波;胡先洪;张敬;章俊;何长平 申请(专利权)人: 长江三峡能事达电气股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 武汉楚天专利事务所 42113 代理人: 雷速
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: sic 磁电 温度 特性 离线 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法,其特征是:将SiC灭磁电阻按照预定时长T接通试验电源,同时利用电流表、电压表、测温仪监测该SiC灭磁电阻的电流、电压、表面温度值,得到SiC灭磁电阻的温度特性,所述接通电源的预定时长T按照该SiC灭磁电阻额定能量的20%~50%确定。

2.根据权利要求1所述的SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法,其特征是:所述预订时长T的确定方法:接通试验电源,根据所测得的SiC灭磁电阻的电压、电流,按照下式确定预订时长T:

3.根据权利要求1所述的SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法,其特征是:所述试验电源是普通交流220伏或380伏电源,或者将上述交流电源整流成相应的直流试验电源。

4.根据权利要求1所述的SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法,其特征是:所述电流表、电压表采用普通的电流表和电压表。

5.根据权利要求1所述的SiC灭磁电阻温度特性离线检测方法,其特征是:所述SiC灭磁电阻是指由多片SiC灭磁电阻组成的灭磁电阻组件。

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