[发明专利]一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，该方法工艺流程为：

1)N型硅片化学处理，正面制绒；

2)在N型硅片背面镀一层氮化硅隔离膜；

3)在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层以及磷硅玻璃；

4)对N型硅片周边刻蚀，去除边缘导电层；

5)去除N型硅片正面的磷硅玻璃和背面的氮化硅隔离膜；

6)在N型硅片正面制作氮化硅减反射膜；

7)制作背面铝扩散P层及正负电极。

2.根据权利要求1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序2)中，所述氮化硅隔离膜的厚度为10-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序5)中，利用氢氟酸同时去除N型硅片正面的磷硅玻璃和背面的氮化硅隔离膜。

4.根据权利要求3所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是所述氢氟酸的浓度为2-10％。

5.根据权利要求1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序3)中，所述在N型硅片正面进行磷扩散形成N+层的方阻R＝20～60ohm。

6.根据权利要求1所述的一种制作背面铝扩散的N型太阳能电池的方法，其特征是在工序6)中，所述氮化硅减反射膜厚度为80nm。