[发明专利]一种自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法无效
| 申请号: | 200910060440.5 | 申请日: | 2009-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN101445618A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
| 发明(设计)人: | 李亮;程志毓;鄢国平;喻湘华;郑磊;胡双强;吴江渝;郭庆中;杜飞鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
| 主分类号: | C08J9/26 | 分类号: | C08J9/26;C08L65/00;C08G61/12 |
| 代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 崔友明 |
| 地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 支撑 乙烯 二氧 噻吩 多孔 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法,其特征在于包括有如下步骤:
1)将3,4-乙烯二氧噻吩单体、有机染料和支持电解质按摩尔比为1-6∶0.05-0.1∶2-10分散在水溶液中,得到A溶液,所述的有机染料为亚甲基蓝或靛兰胭脂红;
2)在0℃氮气保护下,将上述步骤1)得到的A溶液在配备三电极的电解池中采取电化学合成方法制得聚(3,4-乙烯二氧噻吩)薄膜;
3)将步骤2)得到的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)薄膜从电极上剥离,置于丙酮溶液中萃取36-48h,真空干燥即可得到自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜。
2.按权利要求1所述的自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法,其特征在于所述的电化学合成方法为恒电流法,电解电流为2-6mA/cm2,聚合时间为0.5-2h、或恒电位法,工作电极电位为1.0-1.2V,聚合时间为0.5-2h、或循环伏安法,控制电位在-0.9-1.0V之间,扫描速率为10-200mV/s,循环扫描次数为100-300次。
3.按权利要求1或2所述的自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法,其特征在于所述的支持电解质为高氯酸锂、硫酸钠或对甲苯磺酸钠。
4.按权利要求1或2所述的自支撑的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)多孔薄膜的制备方法,其特征在于所述的三电极中参比电极为饱和甘汞电极,铂片为对电极,工作电极为不锈钢片、铂片或金片。
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