[发明专利]用于宽带离子束的质量分析磁铁及注入机系统无效
| 申请号: | 200910060092.1 | 申请日: | 2009-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN101692369A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
| 发明(设计)人: | 胡新平;胡爱平;黄永章 | 申请(专利权)人: | 胡新平;胡爱平;黄永章 |
| 主分类号: | H01F7/00 | 分类号: | H01F7/00;H01J37/317 |
| 代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人: | 胡吉科 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 宽带 离子束 质量 分析 磁铁 注入 系统 | ||
1.一种用于宽带离子束的质量分析磁铁,其特征在于,包括磁体以及连有电源 的线圈;所述磁体包括磁极、磁轭以及磁屏蔽板;所述磁轭和所述磁屏蔽板 连接所述磁极;所述磁极包括上磁极和下磁极;所述磁屏蔽板包括上磁屏蔽 板以及下磁屏蔽板;所述上磁极与下磁极间设有供宽带离子束以一定路线通 过的磁场空间;所述线圈包括上线圈和下线圈;所述上线圈和下线圈生成让 宽带离子束偏转的磁场;所述上线圈和下线圈分别缠绕在所述上磁极和下磁 极上;所述磁体设有质量选择狭缝;所述质量选择狭缝位于所述磁体的中部 并让其所期望的离子通过。
2.根据权利要求1所述用于宽带离子束的分析磁铁,其特征在于:所述上磁 极和所述下磁极分别包括前半部和后半部;所述前半部和后半部连接在一起; 所述前半部和后半部以它们的连接面对称或不对称;所述前半部让离子束从 其一边进入磁体并从所述后半部的一边出去。
3.根据权利要求1所述用于宽带离子束的分析磁铁,其特征在于:所述上磁 屏蔽板与所述上磁极相连接;所述下磁屏蔽板与所述下磁极相连接;所述上 线圈环绕所述上磁极部分;所述下线圈环绕所述下磁极部分;所述上磁极以 及下磁极的表面设计为产生均匀磁场分布或非均匀磁场分布的表面;所述均 匀磁场分布将引导离子以相等偏转半径的曲线轨道运动;所述非均匀磁场分 布将引导离子以不相等偏转半径的曲线轨道运动。
4.根据权利要求1-3任一所述用于宽带离子束的分析磁铁,其特征在于:所 述磁体的内部设有焦斑区,所述焦斑区为通过的宽带离子束在所述磁体的中 部被聚焦而形成,所述质量选择狭缝设置在焦斑区。
5.根据权利要求4所述用于宽带离子束的分析磁铁,其特征在于:所述上磁 极与所述上磁屏蔽板相应的边为宽带离子束的进入边或出去边,其为平面或 曲面形状;所述下磁极与所述下磁屏蔽板相应的边为宽带离子束的进入边或 出去边,其为平面或曲面形状;所述曲面为凸表面或凹表面形状;所述一定 路线为类似圆形或类似椭圆形路线。
6.根据权利要求5所述用于宽带离子束的分析磁铁,其特征在于:所述上磁极 和下磁极的端部分别设有活动旋转磁极头,所述活动旋转磁极头旋转一定的 角度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡新平;胡爱平;黄永章,未经胡新平;胡爱平;黄永章许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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