[发明专利]多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法有效
| 申请号： | 200910058478.9 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101486458A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 杨永富 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C01B33/03;C30B28/14 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 方 强 |
| 地址： | 614800四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 石墨电极 洁净 处理 水淬法 | ||
1.多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极放入马弗炉中进行三次升温加热至550℃±5℃后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去。
2.根据权利要求1所述多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于具体工艺步骤如下：首先第一次将机加工的石墨电极加热，进行第一次水浸冷却，冷却后对石墨电极进行第二次加热，加热后再将石墨电极第二次水浸后涳干，第三次将石墨电极加热，取出石墨电极立即放入纯水中进行第三次水浸冷却，冷却后控干得到洁净的石墨电极，最后将石墨电极烘干装袋备用。
3.根据权利要求1或2所述多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：所述第一次水淬是将机加工的石墨电极放在马弗炉中升温加热至550℃±5℃，然后在排风的同时切断马弗炉电源，将石墨电极取出立即浸入电导率2-10μs/cm，温度25℃±2℃的RO水中，待石墨电极的喷射蒸汽排净后，取出石墨电极涳水。
4.根据权利要求1或2所述多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：所述第二次水淬是将第一次水淬处理涳水后的石墨电极放入马弗炉中升温加热至550℃±5℃，然后切断马弗炉电源，将石墨电极取出立即浸入电导率2-10μs/cm，温度25℃±2℃的RO水中，待石墨电极的喷射蒸汽排净后，取出石墨电极涳水。
5.根据权利要求1或2所述多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：所述第三次水淬是将第二次水淬处理涳水后的石墨电极放入马弗炉中升温加热至550℃±5℃，然后切断马弗炉电源，将石墨电极取出立即浸入电阻率≥16MΩcm，温度25℃±2℃的超纯水中，待石墨电极的喷射蒸汽排净后，取出石墨电极涳水。
6.根据权利要求2所述多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：所述烘干是将经过连续三次水淬涳水后的石墨电极放入鼓风加热、设排风和自动恒温的烘干箱内，接通电源升温加热至200℃±2℃，自动恒温200℃±2℃，持续4小时，然后切断烘干箱电源，自然降温至室温。
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