[发明专利]采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法

权利要求书

1.一种采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，浅沟隔离刻蚀；

第二步，在浅沟隔离露出的硅表面生长一层牺牲衬垫氧化层；

第三步，牺牲衬垫氧化层剥离；

第四步，氮化硅开窗口；

第五步，在浅沟隔离露出的硅表面生长一层衬垫氧化层。

2.如权利要求1所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第一步具体为：在硅衬底上生长缓冲氧化层，在缓冲氧化层上沉积衬垫氮化硅层，然后刻蚀形成浅沟隔离。

3.如权利要求1或2所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第二步所述生长牺牲衬垫氧化层采用高温热氧化工艺，工艺温度为800-1000℃，该牺牲衬垫氧化层的厚度为100-250埃。

4.如权利要求1或2所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第三步所述牺牲衬垫氧化层剥离采用湿法刻蚀工艺，采用稀释的HF酸，浓度为10∶1-300∶1。

5.如权利要求2所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第三步所述牺牲衬垫氧化层剥离，在剥离牺牲衬垫氧化层的同时，刻蚀衬垫氮化硅层下面的缓冲氧化层，形成切口。

6.如权利要求2所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第四步采用湿法刻蚀工艺刻蚀衬垫氮化硅层。

7.如权利要求1或2所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第五步所述生长衬垫氧化层采用高温热氧化工艺，工艺温度为800-1100℃，该衬垫氧化层的厚度为100-250埃。

8.如权利要求6所述的采用牺牲衬垫氧化层来改善浅沟隔离角部圆化的方法，其特征在于，第四步所述的湿法刻蚀工艺采用温度为130-160℃的热磷酸。