[发明专利]高频RFID标签电路及芯片

权利要求书

1.一种高频RFID标签电路，其特征在于，包括一个天线，所述天线两端各通过一个ESD模块连接到一个电压钳位电路模块和一个整流器模块，所述电压钳位电路模块和所述整流器模块并联连接，所述整流器模块的输出同时提供给所述电压钳位电路模块和后续的模拟及数字电路模块，所述电压钳位电路模块根据所述整流器的电压输出控制天线两端的电压值不超过一个预设值。

2.根据权利要求1所述的高频RFID标签电路，其特征在于，所述预设值为5V。

3.根据权利要求1所述的高频RFID标签电路，其特征在于，所述整流器模块和模拟及数字电路模块采用低压器件工艺制造。

4.根据权利要求1所述的高频RFID标签电路，其特征在于，所述电压钳位电路模块中，从整流器输出与地之间依次串联有N型场效应管M1、M2、M4、M5以及一个电阻R1，所述N型场效应管M1、M2、M4、M5的栅极都与其各自的漏极相连接，前一个N型场效应管的源极与后一个N型场效应管的漏极相连接，所述N型场效应管M1的漏极连接整流器的输出，N型场效应管M5的源极连接电阻R1的一端，N型场效应管M6的栅极和漏极都连接到N型场效应管M1的源极，N型场效应管M7的栅极连接N型场效应管M2的源极，N型场效应管M7的源极连接N型场效应管M5的源极，N型场效应管M6的源极连接N型场效应管M7的漏极以及N型场效应管M3的栅极，N型场效应管M3的源极接地，所述天线两端之间还串联连接有两个N型场效应管M8和M9，所述N型场效应管M8的栅极和漏极都接到所述天线的一端，所述N型场效应管M9的栅极和漏极都接到所述天线的另一端，所述N型场效应管M8和M9的源极都连接到所述N型场效应管M3的漏极。

5.根据权利要求1所述的高频RFID标签电路，其特征在于，所述整流器模块包括N型场效应管M10、M11、M12和M13，所述N型场效应管M10的漏极，M11的栅极，以及M12的栅极和漏极连接到所述天线的一端，所述N型场效应管M10的栅极，M11的漏极，以及M13的栅极和漏极连接到所述天线的另一端，所述N型场效应管M1O的源极和M11的源极都接地，所述N型场效应管M12的源极和M13的源极相连接作为整流器模块的输出。

6.一种高频RFID标签电路芯片，其特征在于，所述芯片中包括权利要求1～6中任意一项所述的高频RFID标签电路。