[发明专利]一种低成本高可靠性LED开路保护电路

权利要求书

1.一种低成本高可靠性LED开路保护电路，包括：相互并联连接的LED 和输出电容器Cout，LED的正极连接到电源Vin；电感L1，其一端与LED的 负极相连接；第一MOS晶体管M1，其漏极与电感L1的另一端相连接，源极经 由第一电阻器R1接地；续流二极管D1，其正极连接到第一MOS晶体管M1的 漏极，负极连接到LED的正极；控制第一MOS晶体管M1通断的控制芯片， 该控制芯片具有使能端en和输出端口gate、cs，其中输出端口gate连接到第一 MOS晶体管M1的栅极，而输出端口cs与第一MOS晶体管M1的源极相连接； 其特征在于，进一步包括晶体管负反馈控制模块，所述晶体管负反馈控制模块 包括第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2、第二电阻器R2和第三电阻 器R3，其中第一双极型晶体管Q1的发射极经由第二电阻器R2连接到所述LED 的正极，第一双极型晶体管Q1的基极连接到所述LED负极，第一双极型晶体 管Q1的集电极连接到第二双极型晶体管Q2的基极和第三电阻器R3的一端， 第三电阻器R3的另一端与第二双极型晶体管Q2的发射极共接到地，第二双极 型晶体管Q2的集电极连接到所述控制芯片的使能端en；该控制模块对LED两 端的输出电压进行采样，并产生输出到所述控制芯片的使能端en的输出信号， 以控制第一MOS晶体管M1的通断。

2.如权利要求1所述的低成本高可靠性LED开路保护电路，其特征在于， 所述第一双极型晶体管Q1为PNP型晶体管，所述第二双极型晶体管Q2为NPN 型晶体管。

3.一种低成本高可靠性LED开路保护电路，包括：相互并联连接的LED和 输出电容器Cout，LED的正极连接到电源Vin；电感L1，其一端与LED的负 极相连接；第一MOS晶体管M1，其漏极与电感L1的另一端相连接，源极经由 第一电阻器R1接地；续流二极管D1，其正极连接到第一MOS晶体管M1的漏 极，负极连接到LED的正极；控制第一MOS晶体管M1通断的控制芯片，该 控制芯片具有使能端en和输出端口gate、cs，其中输出端口gate连接到第一 MOS晶体管M1的栅极，而输出端口cs与第一MOS晶体管M1的源极相连接； 其特征在于，进一步包括晶体管负反馈控制模块，所述晶体管负反馈控制模块 包括第二MOS晶体管M2、第三MOS晶体管M3、第二电阻器R2和第三电阻 器R3，其中第二MOS晶体管M2的源极经由第二电阻器R2连接到所述LED 的正极，第二MOS晶体管M2的栅极连接到所述LED负极，第二MOS晶体管 M2的漏极连接到第三MOS晶体管M3的栅极和第三电阻器R3的一端，第三电 阻器R3的另一端与第三MOS晶体管M3的源极共接到地，第三MOS晶体管 M3的漏极连接到所述控制芯片的使能端en；该控制模块对LED两端的输出电 压进行采样，并产生输出到所述控制芯片的使能端en的输出信号，以控制第一 MOS晶体管M1的通断。

4.如权利要求3所述的低成本高可靠性LED开路保护电路，其特征在于， 所述第二MOS晶体管M2为PMOS晶体管，所述第三MOS晶体管M3为NMOS 晶体管。

5.如权利要求1-4中任一项所述的低成本高可靠性LED开路保护电路，其 特征在于，进一步包括连接在电源Vin和地之间的去耦电容器Cin。