[发明专利]集成触摸屏的有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，其特征在于：该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列设置于该基板的薄膜晶体管层一侧，该触控阵列包括探测层，该探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列还包括驱动层，该驱动层由该薄膜晶体管层中的该栅极导电层、该源极/漏极导电层、该像素电极层中的其中一层形成。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成。

4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

5.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成、该触控阵列的驱动层由该薄膜晶体管层的像素电极层形成。

6.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的栅极导电层形成。

7.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成。

8.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测层包括多条相互平行的探测线，该驱动层包括多条相互平行且分别与该探测线绝缘相交的驱动线，相邻两条驱动线与相邻两条探测线相交处形成一触控感应单元。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元包括互感电容，该互感电容形成于每条驱动线与每条探测线的交叉处，该互感电容的两个电极分别连接该探测线和该驱动线，该互感电容的两个电极分别由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层中的两层形成。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该互感电容的两个电极分别由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层形成。

11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列的探测层和驱动层由该薄膜晶体管层的源极/漏极导电层形成，该互感电容的其中一个电极通过接触孔与该驱动线连接，另一个电极直接与该探测线连接。

12.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元与该发光二极管显示器的RGB像素单元一一对应。

13.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：每一触控感应单元包括该发光二极管显示器的至少一个RGB像素单元。

14.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测线形成至少一触控垫，该探测线的触控垫的宽度大于该探测线的宽度。

15.如权利要求14所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该驱动线形成至少一触控垫，该驱动线的触控垫的宽度大于该驱动线的宽度。

16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该探测线和该驱动线的触控垫在同一平面。

17.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其特征在于：该触控阵列还包括一绝缘层和一保护层，该探测层、绝缘层、驱动层和保护层依次设置于该基板，该绝缘层设置于该探测层和驱动层之间。

18.一种集成触摸屏的有机发光二极管显示器，包括一基板和设置在该基板一侧的发光二极管显示阵列，该发光二极管显示阵列包括薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层，其特征在于：该发光二极管显示器还包括触控阵列，该触控阵列包括一探测层、一覆盖该探测层的保护层、一驱动层和一覆盖该驱动层的保护层，该探测层和覆盖该探测层的保护层设置于该基板与该发光二极管显示阵列相背的一侧，该驱动层和该覆盖该驱动层的保护层设置于该基板的该发光二极管显示阵列一侧，该驱动层由该薄膜晶体管层的栅极导电层、源极/漏极导电层、像素电极层的其中一层形成。