[发明专利]形成互连结构的方法有效
| 申请号： | 200910056735.5 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101996932A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈险峰;王玉科 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴靖靓;李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 互连 结构 方法 | ||
1.一种形成互连结构的方法，其特征在于，包括：
提供依次包括互连层、第一介质层和第二介质层的晶圆，所述第一介质层中形成有导电插塞；
用干式蚀刻在所述第二介质层中形成开口，以暴露出所述导电插塞；
对所述暴露出导电插塞的晶圆进行热处理工艺；
在所述第二介质层的开口中填充金属。
2.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述热处理工艺的加热温度为500℃～760℃，加热时间为25±5s。
3.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述导电插塞为钨插塞。
4.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述第二介质层的开口中填充的金属为铜。
5.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述互连层为半导体器件层。
6.根据权利要求5所述的形成互连结构的方法，其特征在于，形成所述第一介质层的导电插塞包括：用干式蚀刻在所述第一介质层中形成接触孔，以暴露出半导体器件的电极；在所述第一介质层的接触孔中填充金属，形成导电插塞。
7.根据权利要求6所述的形成互连结构的方法，其特征在于，还包括：用干式蚀刻在所述第一介质层中形成接触孔后，对所述暴露出半导体器件的电极的晶圆进行热处理工艺。
8.根据权利要求7所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述热处理工艺的加热温度为200±20℃，加热时间为25±5sn
9.根据权利要求6所述的形成互连结构的方法，其特征在于，还包括：在对所述暴露出半导体器件的电极的晶圆进行热处理工艺后，湿式清洗所述暴露出半导体器件的电极的晶圆。
10.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，所述互连层为金属布线层。
11.根据权利要求10所述的形成互连结构的方法，其特征在于，形成所述第一介质层的导电插塞包括：用干式蚀刻在所述第一介质层中形成接触孔，以暴露出金属布线；在所述第一介质层的接触孔中填充金属，形成导电插塞。
12.根据权利要求1所述的形成互连结构的方法，其特征在于，还包括：在对所述暴露出导电插塞的晶圆进行热处理工艺后，湿式清洗所述暴露出导电插塞的晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
