[发明专利]晶片的检测方法及检测装置有效
| 申请号： | 200910056520.3 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996908A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨健;陈思安;阎海滨 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 检测 方法 装置 | ||
1.一种晶片的检测方法，其特征在于，包括步骤：
以晶片的中心为圆心将晶片表面划分为至少2个检测区域，将每个检测区域划分为至少2个待检模块；
对不同检测区域进行检测，并选择至少2个位于不同检测区域内的待检模块的检测数据进行比较，当所述检测数据差值超过预定范围，则发出异常信息。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，一个所述检测区域为圆形，另外的检测区域为圆环形。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所有环形检测区域的内外半径差和圆形检测区域半径相等，或所有环形检测区域的面积和圆形检测区域的面积相等。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，对不同检测区域进行检测，并选择至少2个位于不同检测区域内的待检模块的检测结果进行比较的步骤包括：
从至少3个不同检测区域中，各选择1个待检模块，利用其中1个待检模块的检测数据和另外2个待检模块的检测数据比较。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述3个不同检测区域为相邻的检测区域。
6.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，还包括：记录发出异常时所检测的待检模块。
7.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述至少2个位于不同检测区域内的待检模块位于晶片的同一半径上。
8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，待检模块距离所在的检测区域的外围距离相同。
9.一种晶片的检测装置，其特征在于，包括：
划分装置，用于以晶片的中心为圆心将晶片表面划分为至少2个检测区域，将每个检测区域划分为至少2个待检模块；
检测装置，用于对不同检测区域进行检测，并选择至少2个位于不同检测区域内的待检模块的检测数据进行比较，当所述检测数据差值超过预定范围，则发出异常信息。
10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，一个所述检测区域为圆形，另外的所述检测区域为圆环形。
11.根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于，所有环形检测区域的内外半径差和圆形检测区域半径相等，或所有环形检测区域的面积和圆形检测区域的面积相等。
12.根据权利要求11所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括检测子模块，用于从至少3个不同检测区域中，各选择1个待检模块，进行检测；
判断模块，用于利用其中1个待检模块的检测数据和另外2个待检模块的检测数据比较。
13.根据权利要求12所述的检测装置，其特征在于，所述3个不同检测区域为相邻的检测区域。
14.根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括存储模块，用于记录发出异常时所检测的待检模块。
15.根据权利要求10所述的检测装置，其特征在于，所述至少2个位于不同检测区域内的待检模块位于晶片的同一半径上。
16.根据权利要求15所述的检测装置，其特征在于，其特征在于，待检模块距离所在的检测区域的外围距离相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
