[发明专利]电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元

权利要求书

1.制备一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元的方法，其特征在于底电极为Pt层、阻变氧化物为TiO₂层，顶电极为Ti的Pt/Ti/TiO₂/TiO_x/Ti的存储单元的步骤包括：

a)衬底选用SiO₂/Si(1)，经丙酮、乙醇和去离子水标准超声清洗。采用磁控溅射法依次沉积Ti层10nm/Pt层100nm(2)，背底真空为3×10^-4Pa；

b)采用电子束蒸发方法，在步骤a制备的Pt底电极上沉积100nm Ti层，背底真空为5×10^-4Pa，沉积速率为0.1nm/s；

c)采用热氧化法，在管式退火炉中通氧氧化Ti薄膜层，获得阻变氧化物层TiO₂层(3)，氧气通量保持30cm^-3 min^-1，温度600℃，30min；

d)采用掩模板，通过电子束蒸发蒸镀Ti顶电极(5)，顶电极厚度约为100nm；

e)在外加电场作用下，顶电极Ti可与阻变氧化物TiO₂层在界面处形成一层储氧层TiO_x(4)。

2.按权利要求1所述的RRAM存储单元的制备方法，其特征在于：

1)步骤a和步骤b沉积温度为18-25℃；

2)步骤d采用的掩模板的孔径为0.05-0.15mm。