[发明专利]图形转移方法和掩模版制作方法

权利要求书

1.一种图形转移方法，包括：

在基片上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述基片近的光刻胶层的厚度大于距离所述基片远的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂；

根据待转移图形，对所述光阻层进行曝光；

有选择性地去除所述光阻层，将所述待转移图形转移至所述距离基片近的光刻胶层上；

去除距离所述基片远的光刻胶层；

根据所述光阻层中距离基片近的光刻胶层和透明材料层，对所述基片进行刻蚀，实现所述待转移图形到所述基片的转移。

2.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述透明材料层为顶部抗反射层。

3.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述在基片上形成光阻层，包括：

在基片上涂敷一层光刻胶层；

对基片进行前烘，使所述光刻胶层中的溶剂挥发；

在所述距离基片近的光刻胶层上形成透明材料层；

再次对基片进行前烘；

在所述透明材料层上再涂敷一层与所述距离基片近的光刻胶层不同极性的光刻胶层，所述距离基片远的光刻胶层的厚度小于所述距离基片近的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能溶于所述距离基片远的光刻胶层；

又一次对基片进行前烘，以使其中的溶剂挥发。

4.如权利要求3所述的图形转移方法，其特征在于，所述前烘采用80-110℃的温度，并持续50-80秒。

5.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述根据待转移图形，对所述光阻层进行曝光，包括：

控制曝光能量，使所述距离基片近的光刻胶层曝光部分的尺寸为所述待转移图形的第一尺寸。

6.如权利要求5所述的图形转移方法，其特征在于，所述曝光能量为20-25毫焦/平方厘米。

7.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述有选择性地去除光阻层，包括：

对曝光后的距离基片远的光刻胶层进行显影，并通过控制所述距离基片远的光刻胶层的显影时间，有选择地去除透明材料层，使得所述透明材料层开口的尺寸为所述待转移图形的第二尺寸；

以所述透明材料层为掩膜，对曝光后的距离基片近的光刻胶层进行显影。

8.如权利要求7所述的图形转移方法，其特征在于，所述显影时间为50-60秒。

9.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述光阻层包括：在所述基片上的正性光刻胶层；在所述正性光刻胶层上的透明材料层；在所述透明材料层上的负性光刻胶层；其中，所述正性光刻胶层的厚度大于所述负性光刻胶层的厚度，且所述透明材料能够溶于所述负性光刻胶的显影剂。

10.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述在基片上形成光阻层之前，还包括：基片的清洗处理。

11.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，所述实现待转移图形到所述基片的转移之后，还包括：去除距离所述基片近的光刻胶层以及所述透明材料层。

12.一种掩模版制作方法，包括：

在基片上形成掩模材料层；

在所述掩模材料层上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述掩模材料层远的光刻胶层的厚度小于距离所述掩模材料层近的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂；

根据设计图形，对所述光阻层进行曝光；

有选择性地去除所述光阻层，将设计图形转移至所述距离掩模材料层近的光刻胶层上；

去除距离所述掩模材料层远的光刻胶层；

根据所述光阻层中距离掩模材料层近的光刻胶层和透明材料层，对所述掩模材料层进行刻蚀，形成掩模版。

13.如权利要求12所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述透明材料层为顶部抗反射层。

14.如权利要求12所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述根据待转移图形，对所述光阻层进行曝光，包括：

控制曝光能量，使所述距离掩模材料层近的光刻胶层曝光部分的尺寸为所述待转移图形的第一尺寸。