[发明专利]空心医用金属微针的制备方法有效
申请号: | 200910055956.0 | 申请日: | 2009-08-06 |
公开(公告)号: | CN101623535A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 刘景全;闫肖肖;杨春生;唐刚;芮岳峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | A61M37/00 | 分类号: | A61M37/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空心 医用 金属 制备 方法 | ||
1.一种空心医用金属微针的制备方法,其特征在于,首先通过光刻在双抛 氧化硅片上开出硅刻蚀窗口;湿法刻蚀窗口中的硅得到四棱锥空腔;接着在硅片 上甩负胶填充四棱锥空腔,通过负胶厚度来调整微针的高度;然后选择特定的掩 膜版曝光去除倒四棱锥内的负胶,得到不同形状的微针空腔;在微针空腔内溅射 金属薄膜作为导电层,并在导电层上电镀金属层;最后开出微针内微针通孔,并 去除硅和负胶,以得到不同形状的空心金属微针,具体包括以下步骤:
第一步、通过光刻在双抛氧化硅片上开出硅刻蚀窗口:将光刻正胶为掩膜, 采用缓冲氢氟酸蚀刻液进行蚀刻液刻蚀去除未受光刻正胶层保护的双抛氧化硅 片上的二氧化硅层;
第二步、通过湿法刻蚀窗口中的硅得到四棱锥空腔:以二氧化硅层为掩膜, 湿法刻蚀出硅倒四棱锥,并用缓冲氢氟酸蚀刻液蚀刻去除双抛氧化硅片上正面和 背面上的二氧化硅层;
第三步、接着在双抛氧化硅片上甩负胶填充四棱锥空腔,通过负胶厚度来调 整微针的高度;
第四步、然后选择掩膜版曝光去除硅倒四棱锥内的负胶,得到不同形状的微 针空腔;
第五步、在微针空腔内溅射金属薄膜作为导电层,并在导电层上电镀金属层;
第六步、最后开出微针内微针通孔,并去除硅和负胶,以得到不同形状的空 心金属微针;
所述的甩负胶填充四棱锥空腔是指:在双抛氧化硅片的正面先甩厚度为 30~50μm的第一负胶层并烘干,然后再甩厚度为100~500μm的第二负胶层并 烘干。
2.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的缓冲氢氟酸蚀刻液是指:氟化铵∶氟化氢∶水=113g∶28mL∶170mL。
3.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,第一 步中所述的刻蚀是指在45℃恒温水槽中,采用缓冲氢氟酸蚀刻液进行蚀刻,蚀 刻的深度与双抛氧化硅片上的二氧化硅层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的湿法刻蚀是指用0.44g/mL的氢氧化钾溶液刻蚀双抛氧化硅片上的硅。
5.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的硅倒四棱锥的深度为200~400μm。
6.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的掩膜版的形状为:三角形、正方形或圆形。
7.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的导电层是指:由下而上厚度为100的铬元素层和1400的铜元素层。
8.根据权利要求1所述的空心医用金属微针的制备方法,其特征是,所述 的电镀金属层是指厚度为20~80μm的金属镍。
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