[发明专利]球形柔性微电极的制备方法

权利要求书

1、一种球形柔性微电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步、清洗硅片衬底并在硅片衬底上溅射金属作为粘着层；

第二步、在金属层表面旋涂光刻胶，然后通过光刻处理制成圆柱凸起结构；

第三步、将涂有光刻胶的硅片衬底置于烘箱中熔化光刻胶，使硅片衬底的表面形成半球形结构的光刻胶凸点；

第四步、在光刻胶凸点的表面沉积聚对二甲苯作为制备的微电极阵列的下底包裹材料，制成下底包裹层；

第五步、在下底包裹层上溅射金元素电极层，并在电极层的表面进行二次旋涂，然后对涂有光刻胶的位置进行曝光，去除曝光区域的光刻胶，并采用离子铣技术去除暴露的金属层，制成若干电极点和导线；

第六步、在电极点和导线表面沉积聚对二甲苯作为制备的微电极阵列的上底包裹层；

第七步、旋涂光刻胶，使用不同的掩膜版图形化露出开口形状和开口角度不同的电极点所对应的顶端窗口，刻蚀聚合物，露出电极顶端；

第八步、去除光刻胶，将电极从衬底上剥离，释放电极，制成柔性微电极。

2、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的微电极开口角度是指聚合物层的覆盖弧两端点与微电极的球心连线的夹角，该开口角度为0°～90°。

3、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的金属层的厚度为其作用是保证后续光刻胶与衬底能够很好的粘附，防止后续工艺光刻胶小圆柱脱落。同时溅射金属要考虑到后续热熔回流阶段不被高温氧化。

4、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的旋涂是指以700转/分的速度旋涂光刻胶60秒，所述的光刻胶为AZ4620。

5、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的光刻处理是指：对涂有光刻胶的位置进行曝光，然后采用AZ-400K显影液显影180秒去除曝光区域的光刻胶。

6、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的旋涂光刻胶是指旋涂光刻胶AZ4620以3000转/分的转速旋涂60秒，经曝光后进行显影，显影时间为150秒。

7、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的熔化光刻胶是指将烘箱温度设定为175℃～185℃，熔化时间为20～30分钟。

8、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的下底包裹层的厚度为5～20μm。

9、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的金元素电极层的溅射厚度为0.3～0.5μm。

10、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的二次旋涂是指以3000转/分的速度旋涂光刻胶60秒。

11、根据权利要求1所述的球形柔性微电极的制备方法，其特征是，所述的上底包裹层的厚度为5～20μm。