[发明专利]CMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS器件，其特征在于，包括：

硅基底，依次位于硅基底上的第一埋氧层、第一顶层硅以及第二埋氧层、第二顶层硅；

所述第一顶层硅与第二顶层硅的晶向不相同；

以第一顶层硅为基底形成的第一场效应晶体管；

以第二顶层硅为基底形成并与第一场效应晶体管对准的第二场效应晶体管；所述第一场效应晶体管与第二场效应晶体管的导电类型不同。

2.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管与第二场效应晶体管串联。

3.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管包括位于第一顶层硅内相互隔离的第一源极、第一漏极，以及连接第一源极、第一漏极的第一沟道体，所述第一沟道体表面形成有第一栅介质层，第一栅介质层表面形成有栅电极；第二场效应晶体管包括位于第二顶层硅内相互隔离的第二源极、第二漏极，以及连接第二源极、第二漏极的第二沟道体，所述第二沟道体表面形成有第二栅介质层，第二栅介质层表面形成有栅电极；其中第一沟道体以及第二沟道体均为圆柱形。

4.如权利要求3所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管与第二场效应晶体管共栅电极，所述栅电极形成并包覆第一栅介质层以及第二栅介质层的表面。

5.如权利要求4所述的CMOS器件，其特征在于，所述栅电极的侧面形成有绝缘侧壁。

6.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一顶层硅为<100>晶向，第一场效应晶体管为NMOS晶体管；所述第二顶层硅为<110>晶向，第二场效应晶体管为PMOS晶体管。

7.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，所述第一顶层硅为<110>晶向，第一场效应晶体管为PMOS晶体管；所述第二顶层硅为<100>晶向，第二场效应晶体管为NMOS晶体管。

8.一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供硅基底，在硅基底上依次形成第一埋氧层、第一顶层硅以及第二埋氧层、第二顶层硅；

所述第一顶层硅与第二顶层硅的晶向不同，掺杂类型相反；

以第一顶层硅为基底，形成第一场效应晶体管，以第二顶层硅为基底，形成第二场效应晶体管；

所述第二场效应晶体管与第一场效应晶体管对准，且导电类型不同；

进行后端硅化绝缘工艺，引出有源区的互连线。

9.如权利要求8所述的一种CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成

第一场效应晶体管以及第二场效应晶体管，具体包括：

依次刻蚀预定区域以外的第二顶层硅、第二埋氧层以及第一顶层硅、第一埋氧层，直至从侧面露出预定区域上第一顶层硅底部的第一埋氧层；

侧向刻蚀所述预定区域上的第一埋氧层以及第二埋氧层，使得第一顶层硅以及第二顶层硅上分别形成悬空的第一沟道体以及第二沟道体，且所述第一沟道体与第二沟道体对准；

将所述第一沟道体以及第二沟道体圆柱化；

在第一沟道体以及第二沟道体表面分别形成第一栅介质层、第二栅介质层；

在第一栅介质层、第二栅介质层的表面形成栅电极；

在第一沟道体两侧的第一顶层硅内形成第一源极以及第一漏极，在第二沟道体两侧的第二顶层硅内形成第二源极以及第二漏极。

10.如权利要求9所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一顶层硅为<100>晶向，掺杂类型为P型，第二顶层硅为<110>晶向，掺杂类型为N型。

11.如权利要求9所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一顶层硅为<110>晶向，掺杂类型为N型，第二顶层硅为<100>晶向，掺杂类型为P型。

12.如权利要求9所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述将第一沟道体以及第二沟道体圆柱化，具体包括：

对第一沟道体以及第二沟道体进行高温热氧化；

对第一沟道体以及第二沟道体进行快速退火。

13.如权利要求12所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述高温热氧化的温度为900～1200摄氏度，时间为30～120分钟。