[发明专利]晶背蚀刻方法及系统有效
| 申请号： | 200910054927.2 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958243A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;吴昊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 系统 | ||
1.一种晶背蚀刻方法，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，其特征在于，包括：
在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；
采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括根据防酸膜材质、厚度和/或面积确定所述预定范围的步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括根据第一温度确定该预定范围的步骤。
4.如权利要求1～3任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一温度为23摄氏度；所述第二温度为35～40摄氏度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二温度为35摄氏度。
6.一种晶背蚀刻系统，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，其特征在于，包括：
残酸清洗单元，用于在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；
蚀刻单元，用于采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括用于根据防酸膜材质、厚度和/或面积确定所述预定范围的单元。
8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括用于根据第一温度确定该预定范围的单元。
9.如权利要求6～8任一项权利要求所述的系统，其特征在于，所述第一温度为23摄氏度；所述第二温度为35～40摄氏度。
10.如权利要求9所述的系统，其特征在于，所述第二温度为35摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
