[发明专利]石英改板清洗方法有效
| 申请号: | 200910054800.0 | 申请日: | 2009-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN101958225A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
| 发明(设计)人: | 孙长勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 石英 清洗 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种石英改板清洗方法。
背景技术
随着电子设备的广泛应用,半导体的制造工艺得到了飞速的发展,半导体的制造流程涉及两种基本的刻蚀工艺:干法刻蚀和湿法刻蚀。其中,干法刻蚀是把晶圆曝露于刻蚀气体所产生的等离子体中,等离子体与晶圆发生物理或化学反应,从而有选择性地从晶圆表面去除不需要的材料。
图1为现有技术中干法刻蚀装置的剖面结构图。如图1所示,通过转换耦合功率发生器101在电感线圈102上施加转换耦合功率,从而在电感线圈102的周围产生电磁场,然后刻蚀气体从进气口103被通入上部腔体104中,刻蚀气体在电磁场的作用下发生电离并形成等离子体,石英改板105将电感线圈102与放置于静电吸盘106上的晶圆W隔离开,而且石英改板105是可拆卸的。由于石英改板105具有绝缘性,这样就可减弱电磁场对晶圆W的影响。石英改板105还包括若干个圆孔,用于使等离子体中的离化基进入下部腔体107,同时,通过偏置功率发生器108在晶圆W上施加偏置功率,这样就使得晶圆W与等离子体之间存在一个较大的电压差,从而使朝晶圆W运动的离化基具有方向性。
然而,在实际应用中,当对晶圆进行刻蚀时,等离子体与晶圆上的金属层或介质层发生化学反应,反应生成的聚合物会逐渐沉积在石英改板上,随着刻蚀的进行,越来越多的聚合物沉积在石英改板上,由于重力的作用,聚合物很容易掉落到正在刻蚀的晶圆上,这就需要对石英改板进行经常性地清洗,以去除石英改板上的聚合物。
在现有技术中,一般对石英改板进行清洗的方法为:将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,使用酸性溶液对石英改板进行清洗,然后使用去离子水(DIW)对石英改板进行喷淋清洗,以去除反应生成物,最后使用流动的氮气(N2)对清洗后的石英改板进行干燥。
然而,在实际应用中,由于酸性溶液会对石英改板有腐蚀作用,所以要求酸性溶液的浓度不可过大,但是使用浓度较小的酸性溶液又无法使聚合物与酸性溶液进行充分的反应,因此采用现有技术中对石英改板进行清洗的方法往往不能达到很好的清洗效果,沉积在石英改板上的聚合物还是不能被彻底地去除。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种石英改板清洗方法,能够彻底地去除石英改板上的聚合物。
为达到上述目的,本发明的技术方案具体是这样实现的:
一种石英改板清洗方法,干法刻蚀停止后,该方法包括:将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。
所述烘焙的方法为:将石英改板放置于烤箱中,并在烤箱中通入空气;或,使用电阻丝对石英改板进行烘焙。
该方法进一步包括:对石英改板烘焙后,对石英改板进行喷淋清洗。所述喷淋清洗的方法为:采用去离子水DIW对石英改板进行喷淋清洗。
该方法进一步包括:对石英改板进行喷淋清洗后,对石英改板进行干燥。
所述干燥的方法为:采用流动的氮气N2或氩气Ar对石英改板进行干燥。
所述烘焙的方法为:每隔一小时烘焙温度升高50℃至100℃,当烘焙温度达到1000℃时停止烘焙。
该方法进一步包括:对石英改板烘焙后,对石英改板进行喷淋清洗。
所述喷淋清洗的方法为:采用去离子水DIW对石英改板进行喷淋清洗。
该方法进一步包括:对石英改板进行喷淋清洗后,对石英改板进行干燥。
所述干燥的方法为:采用流动的氮气N2或氩气Ar对石英改板进行干燥。
可见,在本发明所提供的方法中,采用对石英改板进行烘焙的方法将沉积在石英改板表面的聚合物去除掉,当对石英改板烘焙时,聚合物中的Si和AlCl3均会与空气中的O2生化学反应,反应产物分别为易于清洗的SiO2和Al2O3,这样,就可将石英改板上的聚合物彻底地去除。
附图说明
图1为现有技术中干法刻蚀装置的剖面结构图。
图2为本发明所提供的石英改板清洗方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下参照附图并举实施例,对本发明进一步详细说明。
图2为本发明所提供的石英改板清洗方法的流程图,该方法包括以下步骤:
步骤201,将石英改板从干法刻蚀装置中拆卸下来,对石英改板进行烘焙。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





