[发明专利]晶圆清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

在集成电路制造领域，在某些工艺步骤后，通常会在晶圆表面留下污染物，所述污染物包括有机化合物、金属杂质或颗粒(Particle)等，这些污染物对于产品后续工艺的影响非常大。例如，颗粒的附着会影响光刻工艺图案转移的真实性，甚至会造成电路结构的短路。因此，在半导体器件制造过程中，最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗，以去除附着于晶圆表面的污染物，避免这些污染物影响后续制程的进行，并防止清洗机台与其它晶圆受到这些污染物的污染。

目前，晶圆上的污染物的去除可以采用旋转型机台来完成，例如日本SCREEN公司生产的DNS-SU3000机台，所述旋转型机台可提供自动化单片式清洗制程，适用于晶圆正面、背面以及边缘的处理。在所述旋转型机台清洗晶圆时，可以在晶圆旋转的同时，从晶圆上方将去离子水(De-ionized Water，DIW)排放到晶圆上，所述去离子水的温度为室温，也就是说，所述去离子水的温度小于25℃。接着，通过旋转所产生的离心力，使去离子水布满整个晶圆表面。之后，再喷吹惰性气体于晶圆表面以干燥晶圆，而完成晶圆清洗工艺。

但是，由于所述室温的去离子水的分子动能较小，故对于一些与晶圆表面粘附性能较强的污染物的去除力度不够，因此，在实际的清洗过程结束时，在晶圆的表面仍残留有大量的污染物，严重影响了半导体器件的可靠性及稳定性。

如何有效去除晶圆表面污染物是本领域技术人员一直希望解决但却没有解决的问题之一。

发明内容

本发明提供一种晶圆清洗方法，其可以有效去除晶圆表面的污染物，提高半导体器件的可靠性及稳定性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆清洗方法，包括：提供一晶圆；利用热去离子水冲洗所述晶圆，其中所述热去离子水具有预设温度，所述预设温度介于50℃至99℃之间；以及干燥所述晶圆。

可选的，干燥所述晶圆包括：利用惰性气体喷吹所述晶圆，其中所述惰性气体为氮气，所述惰性气体的温度介于30℃至60℃之间。

可选的，利用热去离子水冲洗所述晶圆的同时使用毛刷擦洗所述晶圆。

可选的，所述晶圆表面具有污染物，所述污染物为颗粒、有机化合物或金属杂质中的一种或其组合。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1、本发明所提供的晶圆清洗方法，利用热去离子水(Hot De-ionized WaterMist，HDWM)冲洗晶圆，由于所述热去离子水具有较高的温度，因此其具有更高的分子动能，可有效破坏污染物与晶圆表面的粘附性，加大清洗的力度，提高颗粒去除效率(Particle Removal Efficiency，PRE)，达到极佳的清洗效果，进而提高半导体器件的可靠性及稳定性。

2、本发明所提供的晶圆清洗方法，工艺简单，并未引进新的化学试剂，不会对半导体器件带来任何副作用。

3、本发明利用温度较高的热氮气来干燥晶圆，可以加快晶圆的干燥速度，有效缩短晶圆的干燥时间，提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明一实施例所提供的晶圆清洗方法的流程图；

图2为采用本发明一实施例所提供的清洗方法的清洗过程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

在背景技术中已经提及，现有的晶圆清洗方法是利用室温的去离子水冲洗晶圆，通常所述去离子水的温度小于25℃，由于所述室温的去离子水的分子动能较小，故对于一些与晶圆表面粘附性能较强的污染物的去除力度不够，因此，在实际的清洗过程结束时，在晶圆的表面仍残留有大量的污染物，严重影响了半导体器件的可靠性及稳定性。

本发明的核心思想在于，提供一种晶圆清洗方法，其可以有效去除晶圆表面的污染物，提高半导体器件的可靠性及稳定性，且不会对半导体器件带来任何副作用。

请参考图1，其为本发明一实施例所提供的晶圆清洗方法的流程图，结合该图，该方法包括步骤：

步骤S10，提供一晶圆。

步骤S20，利用热去离子水冲洗所述晶圆，其中所述热去离子水具有预设温度，所述预设温度介于50℃至99℃之间。

步骤S30，干燥所述晶圆。

其中，所述晶圆表面具有污染物，所述污染物为颗粒、有机化合物或金属杂质中的一种或其组合。