[发明专利]干法蚀刻方法无效
| 申请号： | 200910054407.1 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937832A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;孙武;符雅丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/311;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
1.一种干法蚀刻方法，其特征在于，包括：对待蚀刻材料层依次进行主蚀刻及过蚀刻，其中在过蚀刻时采用的蚀刻气体至少包括能增加蚀刻反应中聚合物生成量的气体。
2.如权利要求1所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述过蚀刻包括依次进行的第一过蚀刻和第二过蚀刻，所述第二过蚀刻时采用的蚀刻气体至少包括能增加蚀刻反应中聚合物生成量的气体。
3.如权利要求2所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述能增加蚀刻反应中聚合物生成量的气体为CH2F2。
4.如权利要求3所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述第二过蚀刻采用的蚀刻气体还包括CF4、N2。
5.如权利要求4所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述第二过蚀刻采用的蚀刻气体还包括CHF3。
6.如权利要求5所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述第二过蚀刻中，CF4的流量为50～250sccm；CHF3的流量为10～100sccm；CH2F2的流量为10～100sccm；N2的流量为50～500sccm。
7.如权利要求2所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述第一过蚀刻采用的蚀刻气体包括CF4、N2。
8.如权利要求7所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述第一过蚀刻采用的蚀刻气体还包括CHF3。
9.如权利要求1所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述主蚀刻采用的蚀刻气体包括CF4、O2。
10.如权利要求9所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述主蚀刻采用的蚀刻气体还包括CHF3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
