[发明专利]光刻方法有效
| 申请号： | 200910054405.2 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101937175A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;黄怡;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述偏置电压通过设置于晶圆底部的电极提供。
3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述干法蚀刻采用Cl2和O2作为蚀刻气体，Cl2和O2的气体流量比为0.5～5，顶部电压源的功率为100～500瓦，偏置电压为50～200伏。
4.如权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述偏置电压为200伏。
5.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，还包括：在修剪光阻图形后，对光阻图形下的底层抗反射层依次进行主蚀刻和过蚀刻。
6.如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述主蚀刻采用Cl2和O2作为蚀刻气体，Cl2和O2的气体流量比为1～5，顶部电压源的功率为100～500瓦，偏置电压为200～500伏。
7.如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述过蚀刻采用Cl2和O2作为蚀刻气体，Cl2和O2的气体流量比为1～5，顶部电压源的功率为100～500瓦，偏置电压为200～500伏。
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