[发明专利]毛细管电泳芯片制备方法

权利要求书

1.一种毛细管电泳芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，清洗玻璃基片，烘干，在基片上溅射Cr作为粘附层，在粘附层上溅射Cu作为种子层，粘附层和种子层合为第一粘附-种子层；

步骤二，在第一粘附-种子层上甩第一光刻胶，烘胶，在第一光刻胶上光刻支撑立柱的结构图形；

步骤三，在支撑立柱的结构图形的空腔内电镀支撑立柱，电镀的厚度与第一光刻胶的厚度相同；

所述的电镀的金属为Au；

步骤四，在第一光刻胶和支撑立柱上溅射Cr作为粘附层，在粘附层上溅射Cu作为种子层，粘附层和种子层合为第二粘附-种子层；

步骤五，在第二粘附-种子层上甩第二光刻胶，烘胶，在第二光刻胶上光刻毛细管电泳芯片图形；

步骤六，在毛细管电泳芯片图形空腔内电镀，电镀厚度和第二光刻胶的厚度相同；

所述的电镀的金属是Zn或Cu；

步骤七，依次去除第二光刻胶、第二粘附-种子层，得到悬空的金属管网状结构；

步骤八，以金属管网状结构为阴极，惰性金属为阳极，将二者浸入阴极电泳液中，通电，得到被薄膜包裹的金属管网状结构；

步骤九，在薄膜上开出两孔，然后将被薄膜包裹的金属管网状结构烧结，之后放入腐蚀液中浸泡，即得毛细管电泳芯片。

2.根据权利要求1所述的毛细管电泳芯片制备方法，其特征是，步骤二中，所述第一光刻胶的厚度是5～50μm。

3.根据权利要求1所述的毛细管电泳芯片制备方法，其特征是，步骤五中，所述第二光刻胶的厚度是2～50μm。

4.根据权利要求1所述的毛细管电泳芯片制备方法，其特征是，步骤八中，所述通电采用直流电源，电压50～100V，通电时间15～60s。 

5.根据权利要求1所述的毛细管电泳芯片制备方法，其特征是，步骤九中，所述浸泡时间为10～60min。

6.根据权利要求1所述的毛细管电泳芯片制备方法，其特征是，步骤九中，所述腐蚀液为：若为Zn管网状结构，腐蚀液为稀盐酸；若为Cu管网状结构，腐蚀液为H₂O、NH₃·H₂O和H₂O₂的混合溶液。