[发明专利]用于RF领域的工作频率可控的HBT结构有效
| 申请号： | 200910053711.4 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101651149A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 吴小莉;许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/36;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 rf 领域 工作 频率 可控 hbt 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于RF领域的工作频率可控的HBT结构，其特征在于， 包括一个在P型衬底与集电区之间注入的高浓度P型杂质埋层，其中， 所述的高浓度P型杂质埋层到浅槽隔离的距离为600nm～1000nm；所 述的高浓度P型杂质埋层具有150～200nm的膜厚；所述的高浓度P型 杂质埋层具有不低于lel9cm-3的杂质浓度。
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