[发明专利]一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法无效
| 申请号： | 200910053505.3 | 申请日： | 2009-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101604631A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201821*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝缘 半导体 衬底 制备 方法 | ||
1.一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及设置于剥离层与第一半导体层之间的腐蚀停止层，所述第一半导体层表面具有第一晶面，腐蚀停止层的材料即与剥离层的材料不相同，也与第一半导体层的材料不相同；
提供第二半导体支撑衬底，所述第二半导体支撑衬底表面具有第二晶面；
在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；
将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合，键合后的第一半导体层与腐蚀停止层被键合衬底与第二半导体支撑衬底所夹持；
采用选择性腐蚀工艺除去剥离层，腐蚀工艺停止于腐蚀停止层；
采用选择性腐蚀工艺除去腐蚀停止层，腐蚀工艺停止于第一半导体层。
2.根据权利要求1所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第一半导体层、剥离层以及第二半导体支撑衬底的材料为单晶硅，所述腐蚀停止层的材料为氧化硅或氮化硅。
3.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘埋层的材料为亲水材料。
4.根据权利要求3所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述绝缘埋层的材料为氧化硅。
5.根据权利要求4所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述氧化硅采用热氧化方法制备。
6.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第一晶面为(100)晶面，第二晶面为(110)晶面。
7.根据权利要求2所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所述第一晶面为(110)晶面，第二晶面为(100)晶面。
8.根据权利要求1或2所述的具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，其特征在于，所形成的绝缘埋层的总厚度大于50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
